[发明专利]反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室有效
| 申请号： | 200610164847.9 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197249A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 管长乐 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 内衬 包含 | ||
1.一种反应腔室内衬，包括侧面内衬、底面内衬，其特征在于，所述的底面内衬高于侧面内衬的下缘，且至少有一层底面内衬；所述底面内衬上开有多个内衬孔，使底面内衬上方的空间与下方的空间相通。
2.根据权利要求1所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述的底面内衬有多层。
3.根据权利要求2所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述底面内衬有两层，包括上层内衬和下层内衬，
所述上层内衬开有多个上层内衬孔；
所述下层内衬开有多个下层内衬孔；
所述上层内衬孔与下层内衬孔相互交错布置。
4.根据权利要求2或3所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述的侧面内衬包括多部分，多部分侧面内衬相互叠加构成侧面内衬整体；所述每一层底面内衬分别与一部分侧面内衬连接。
5.一种反应腔室，反应腔室的壁上设有进气口、出气口，其特征在于，所述反应腔室内设有上述反应腔室内衬，
所述进气口与底面内衬的上方空间相通；
所述出气口与底面内衬的下方空间相通。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述的出气孔设于反应腔室的腔室侧壁上。
7.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述的出气孔设于反应腔室的腔室底壁上。
8.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述的反应腔室内设有静电卡盘，所述的静电卡盘上可设置晶片，所述静电卡盘用于放置晶片的部位设于底面内衬的上方空间内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
