[发明专利]反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室有效
| 申请号： | 200610164984.2 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202206A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨盟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 内衬 包含 | ||
1.一种反应腔室内衬，包括侧面内衬、底面内衬，其特征在于，所述的侧面内衬分两层，分别为里层内衬和外层内衬，
所述里层内衬和外层内衬的上缘相互连接；下缘分别与底面内衬连接，里层内衬与外层内衬之间形成封闭空间；
所述里层内衬开有多个气孔；
所述外层内衬开有内衬进气开口和内衬排气开口。
2.根据权利要求1所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述的里层内衬上的多个气孔为不均匀分布，
靠近外层内衬上内衬进气开口和内衬排气开口位置处的气孔分布密度较小；
远离外层内衬上内衬进气开口和内衬排气开口位置处的气孔分布密度较大。
3.根据权利要求1所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述的里层内衬上的多个气孔的直径不同，
靠近外层内衬上内衬进气开口和内衬排气开口位置处的气孔直径较小；
远离外层内衬上内衬进气开口和内衬排气开口位置处的气孔直径较大。
4.根据权利要求1、2或3所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述的多个气孔相互平行。
5.根据权利要求1、2或3所述的反应腔室内衬，其特征在于，所述的气孔的两端分别设有倒角。
6.一种反应腔室，包括侧壁和底壁，反应腔室的侧壁上设有进气口、排气口，其特征在于，所述反应腔室内设有上述反应腔室内衬，
所述进气口与内衬进气开口相对应；
所述排气口与内衬排气开口相对应。
7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述的反应腔室内设有静电卡盘，所述的静电卡盘的上表面可设置晶片，所述静电卡盘的上表面高于底面内衬的上表面。
8.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述的反应腔室内设有静电卡盘，所述的静电卡盘的上表面可设置晶片，所述静电卡盘的上表面与底面内衬的上表面平齐。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
