[发明专利]绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法

权利要求书

1.一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，其特征在于：

(1)、根据所要检测的应变硅异质结的晶体学结构特征，按X射线双晶对称衍射几何进行实验布置；

(2)、利用同步辐射单色光对样品进行对称衍射获得双晶摇摆曲线，得到应变硅异质结的衍射峰；

(3)、将样品以表面法线为轴旋转180°，再次获得双晶摇摆曲线；

(4)、比较旋转180°前后的双晶摇摆曲线，判断各衍射峰与衍射结构的对应关系；

(5)、调整入射线的入射角度，以使Si层衍射合峰呈现非对称性或出现分立的峰；

(6)、固定入射线的入射角度，在各衍射峰上拍摄对应衍射结构的同步辐射形貌像。

2.根据权利要求1所述的一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，其特征在于：所述的样品为在键合背蚀SOI(BESOI)或智能剥离SOI(Smart-cutSOI)衬底上获得的应变硅异质结Si/SiGe/Si-SOI；所述的在各衍射峰上拍摄对应衍射结构的同步辐射形貌像分别为：

(1)、在峰形呈非对称性或分立的Si层衍射峰半高宽处分别拍摄应变Si层和SiGe层下面Si层的同步辐射形貌像；

(2)、在SiGe层衍射峰两侧半高宽处分别拍摄靠近SiGe层上下界面附近的同步辐射形貌像；

(3)、在SOI体Si衬底的半高宽处拍摄SOI体Si衬底的形貌像。

3.根据权利要求1所述的一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，其特征在于：所述的样品为在氧注入隔离SOI(SIMOX SOI)衬底上获得的应变硅异质结Si/SiGe/Si-SOI；所述的在各衍射峰上拍摄对应衍射结构的同步辐射形貌像分别为：

(1)、在峰形呈非对称性的SOI体Si衬底衍射峰基底处高角边一侧分别拍摄应变Si层和SiGe层下面Si层的同步辐射形貌像；

(2)、在SOI体Si衬底的半高宽处拍摄SOI体Si衬底的形貌像；

(3)、在SiGe层衍射峰两侧半高宽处分别拍摄靠近SiGe层上下界面附近的同步辐射形貌像。