[发明专利]硅化钨硅片刻蚀的方法有效

专利信息
申请号: 200610165407.5 申请日: 2006-12-19
公开(公告)号: CN101207038A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 王铮 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人: 赵镇勇;郭宗胜
地址: 100016北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 硅化钨 硅片 刻蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种硅化钨硅片刻蚀的方法,用于在硅化钨硅片上刻蚀工艺线条,所述硅化钨硅片包括硅化钨层、多晶硅层,其特征在于,包括步骤:

A、硅化钨主刻蚀,用于刻蚀掉大部分的硅化钨;

B、硅化钨过刻蚀,用于刻蚀掉残余的硅化钨和大部分的多晶硅;

C、多晶硅过刻蚀,用于刻蚀掉残余的多晶硅。

2.根据权利要求1所述的硅化钨硅片刻蚀的方法,其特征在于,所述的步骤B中采用的工艺气体为包括氯气、溴化氢、氦氧气的混合气体。

3.根据权利要求2所述的硅化钨硅片刻蚀的方法,其特征在于,所述的工艺气体中,

氯气的流量为0-150sccm;

溴化氢的流量为0-200sccm;

氦氧气的流量为0-10sccm。

4.根据权利要求3所述的硅化钨硅片刻蚀的方法,其特征在于,所述的氦氧气中,氧气的含量为30%。

5.根据权利要求3所述的硅化钨硅片刻蚀的方法,其特征在于,所述的工艺气体的压力为5-20mT。

6.根据权利要求1至5任一项所述的硅化钨硅片刻蚀的方法,其特征在于,所述的步骤B中,

上射频电源的功率为150-400W;下射频电源的功率为40-180W。

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