[发明专利]激光参数测量装置无效
申请号: | 200610167350.2 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN101101199A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 叶征宇;宋海平;王龙;王涛涛 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军总参谋部第五十四研究所 |
主分类号: | G01B11/08 | 分类号: | G01B11/08;G01B11/00;G01B11/26;G01J1/18;G01J11/00;G01J9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 参数 测量 装置 | ||
1、一种激光参数测量系统,包括被测激光源,其特征在于,还包括:
参考激光源,用于发射作为参考标准的连续激光;
漫反射成像光靶,设置于所述连续激光与所述被测激光源发射的被测激光的光路中、所述被测激光的被测位置,用于对所述被测激光及所述连续激光进行漫反射;
图像获取装置,设置于所述被测激光与所述连续激光的漫反射光路中,用于接收所述被测激光与所述连续激光的漫反射激光的视频信号;
图像采集装置,设置在所述图像获取装置的输出光路中,用于根据所述被测激光与所述连续激光的漫反射激光的视频信号获取所述被测激光与所述连续激光的漫反射激光的灰度图像;
控制处理装置,与所述图像采集装置连接,用于存储所述连续激光的漫反射激光在所述被测位置的光斑直径,根据所述被测激光与所述连续激光的漫反射激光的灰度图像的比值以及所述连续激光的漫反射激光的光斑直径,获取所述被测激光在所述被测位置的光斑直径;
显示装置,与所述控制处理装置连接,用于显示所述控制处理装置获取的所述被测激光的参数。
2、根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制处理装置还用于存储所述连续激光的功率,根据所述被测激光与所述连续激光的漫反射激光的灰度的比值,获取所述被测激光的功率和/或能量,或者,所述控制处理装置还用于对所述被测激光的漫反射激光的灰度图像进行分析,获取所述被测激光的形心与质心。
3、根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述控制处理装置还用于控制所述图像获取装置与所述图像采集装置的工作状态,或者用于根据所述被测激光在不同被测位置的光斑直径及被测位置到所述被测激光源之间的距离,计算所述被测激光的发散角。
4、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,还包括:
第一滤光片,设置于所述图像获取装置的输入端,用于滤除所述被测激光与所述连续激光的标准波长外的杂光。
5、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,还包括:
第一衰减片,设置于所述图像获取装置的输入端,用于对所述被测激光及所述连续激光的强度进行衰减。
6、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,还包括:
光电探测器,设置于所述被测激光的漫反射光路中,用于将接收到的光信号转换为电信号;
脉宽频率处理器,分别与所述光电探测器及所述控制处理装置连接,用于对所述被测激光的电信号进行采样、模/数转换、峰值保持与解码;
所述控制处理装置还根据所述峰值保持与解码的结果数据获取所述被测激光的脉宽与频率。
7、根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述光电探测器为与所述被测激光的波长相应的PIN硅光电二极管、雪崩二极管或锑锌镉汞红外探测器。
8、根据权利要求6所述的系统,其特征在于,还包括:
第二滤光片,设置于所述光电探测器的输入端,用于滤除所述被测激光的标准波长外的杂光。
9、根据权利要求6所述的系统,其特征在于,还包括:
第二衰减片,设置于所述光电探测器的输入端,用于对所述被测激光的强度进行衰减。
10、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述图像获取装置为成像探测器。
11、根据权利要求10所述的系统,其特征在于,所述成像探测器的主光轴与所述漫反射成像光靶漫反射面的法线之间的夹角为0°-60°。
12、根据权利要求10所述的系统,其特征在于,所述成像探测器为CCD摄像机、红外热像仪或与所述被测激光的波长相应的成像器件。
13、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述参考激光与所述被测激光的波长相同,或者所述连续激光在被测位置的光斑小于所述被测激光。
14、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述漫反射成像光靶的表面设有具有朗伯特性的聚四氟乙烯,陶瓷、铝膜或碳化硅。
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