[发明专利]半导体元件测试装置、测试方法及该测试装置制造方法无效
申请号: | 200610167575.8 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101207057A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 周辉星;王志坚;王志平;马朝辉;阿杜·拉吒 | 申请(专利权)人: | 先进封装技术私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 测试 装置 方法 制造 | ||
1.一种半导体元件测试装置,包括:
基板;以及
导电高分子弹性构件,设置于该基板上,该导电高分子弹性构件界定接收空间,而该接收空间用以接收半导体元件的导电凸块,以测试该半导体元件。
2.如权利要求1所述的半导体元件测试装置,其中该导电高分子弹性构件由绝缘高分子弹性体及导电层所构成,该绝缘高分子弹性体设置于该基板上,该导电层设于该绝缘高分子弹性体上。
3.如权利要求2所述的半导体元件测试装置,其中该绝缘高分子弹性体的材质选自于由聚二甲基硅氧烷、橡胶及其组合所组成的组。
4.如权利要求2所述的半导体元件测试装置,其中该导电层沿该接收空间的相对的两个侧壁配置。
5.如权利要求2所述的半导体元件测试装置,其中该接收空间暴露该基板,该导电层沿着该接收空间的相对的两个侧壁及该基板配置。
6.如权利要求2所述的半导体元件测试装置,其中该基板包括:
基板引线,该导电层及该基板引线配置于该基板的相对的两个侧面;以及
基板贯穿导体,贯穿该基板,以电学连接该导电层及该基板引线。
7.如权利要求6所述的半导体元件测试装置,其中该导电高分子弹性构件更包括:
弹性体贯穿导体,贯穿该绝缘高分子弹性体,以电学连接该导电层及该基板贯穿导体。
8.如权利要求6所述的半导体元件测试装置,其中该基板贯穿导体,设于该接收空间下方。
9.如权利要求1所述的半导体元件测试装置,其中该半导体元件测试装置包括多个导电高分子弹性构件,该导电高分子弹性构件结构分离且电学隔离。
10.如权利要求9所述的半导体元件测试装置,其中各个该导电高分子弹性构件界定接收空间,该接收空间设为平行于该基板的长条状结构。
11.如权利要求1所述的半导体元件测试装置,其中该导电高分子弹性构件由导电高分子材料所构成。
12.如权利要求1所述的半导体元件测试装置,其中该导电层具有两个圆滑转角,该圆滑转角设置于该接收空间的底部与侧壁之间。
13.如权利要求12所述的半导体测试装置,其中该圆滑转角的曲率半径大于0.05毫米。
14.一种半导体元件测试装置的制造方法,包括:
提供基板;以及
形成导电高分子弹性层于该基板上,该导电高分子弹性层设有接收空间,
其中,该接收空间用以接收半导体元件的导电凸块,以测试该半导体元件。
15.如权利要求14所述的制造方法,其中该导电高分子弹性层为单一层结构,该单一层结构由导电高分子材料所构成。
16.如权利要求14所述的制造方法,其中该导电高分子弹性层为复合层结构,该复合层由绝缘高分子弹性体及导电层所构成,形成该导电高分子弹性层的该步骤更包括:
形成该绝缘高分子弹性体于该基板上;以及
形成该导电层于该绝缘高分子弹性体上。
17.如权利要求16所述的制造方法,其中形成该绝缘高分子弹性体的该步骤以浇铸的方式形成该绝缘高分子弹性体。
18.如权利要求16所述的制造方法,其中该绝缘高分子弹性体的材质选自于由聚二甲基硅氧烷、橡胶及其组合所组成的组。
19.如权利要求16所述的制造方法,其中在形成该绝缘高分子弹性体的步骤后,该制造方法更包括:
离子源预洗该基板及该绝缘高分子弹性体。
20.如权利要求16所述的制造方法,其中形成该导电层的该步骤更包括:
溅射种子导电层于该绝缘高分子弹性体及该基板上;
涂布光刻胶层于该种子导电层上;
图案化该光刻胶层,以使该光刻胶层具有光刻胶开口;
以该种子导电层为电极,电镀该导电层于该光刻胶开口内;
移除该光刻胶层;以及
移除该导电层以外的该种子导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造