[发明专利]液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器件，包括：

阵列基板，其包括：

在第一基板上的栅线和公共线，公共线与栅线间隔开；

在公共线和栅线上的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并与所述栅线交叉以限定像素区域的数据线；

与栅线和数据线连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层上的半导体层以及在所述半导体层上的源极和漏极；和

第一和第二高度调节器，所述第一高度调节器在栅线和公共线中至少一条上方的栅绝缘层上，所述第二高度调节器在栅线和公共线的第一公共线之间的栅绝缘层上，所述第一高度调节器和所述第二高度调节器每一个都具有半导体图案和导电图案，其分别由与半导体层以及源极和漏极的材料相同的材料形成；

面对阵列基板的相对基板；

在阵列基板与相对基板之间的液晶层；

对应于第一高度调节器并与阵列基板和相对基板接触的间隙衬垫料；

对应于第二高度调节器、与相对基板接触并与阵列基板间隔开的第一缓压衬垫料；和

与相对基板接触并与阵列基板间隔开的第二缓压衬垫料，所述第二缓压衬垫料与所述公共线对应；

其中第一缓压衬垫料与阵列基板之间的距离大致小于第二缓压衬垫料与阵列基板之间的距离。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体层包括本征无定形硅层和在该本征无定形硅层上的掺杂质的无定形硅层。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体层在数据线下面延伸。

4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述本征无定形硅层突出到掺杂质的无定形硅层外面。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体层以及源极和漏极用作第一高度调节器。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括在像素区域中交替设置的像素电极和第二公共电极，其中像素电极与薄膜晶体管连接，第二公共电极与公共线连接。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述公共线进一步包括第二公共线，所述第一和第二公共线通过像素电极外面的第一公共电极连接，第二公共线与第二公共电极连接。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一公共电极大致与第二公共电极交迭，第二公共电极位于与像素电极相同的层，并且第一公共电极从第一和第二公共线延伸。

9.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，进一步包括钝化层，该钝化层连同栅绝缘层具有漏接触孔和公共接触孔，像素电极通过漏接触孔与薄膜晶体管连接，第二公共电极通过公共接触孔与第二公共线连接。

10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述相对基板包括在第二基板上的黑色矩阵、滤色片层和平整层。

11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，对应于间隙衬垫料的阵列基板部分大致高于对应于第一缓压衬垫料的阵列基板部分，而对应于第一缓压衬垫料的阵列基板部分大致高于对应于第二缓压衬垫料的阵列基板部分。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述间隙衬垫料以及第一和第二缓压衬垫料具有大致相同的厚度。

13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述第一和第二高度调节器具有大致相同的厚度。

14.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，对应于间隙衬垫料的阵列基板部分与对应于第一缓压衬垫料的阵列基板部分之间的高度差大约为

15.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，在第一和第二高度调节器下面的栅绝缘层部分比第二缓压衬垫料下面的栅绝缘层部分厚大约