[发明专利]有机电致发光显示器件及其驱动方法

说明书

本申请要求享有2006年6月27日提交的韩国专利申请No.2006-0057983的优先权，在此引入其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示器件，更具体地涉及一种显示高质量图像的有机电致发光显示器件及其驱动方法。

背景技术

液晶显示(LCD)器件由于包括重量轻、薄以及功耗低在内的很多优点，得到广泛的应用。然而，由于LCD器件是非自发光的，所以LCD器件需要诸如背光单元的额外光源。

另一方面，有机电致发光显示器件通过将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入发射层，从而空穴与电子复合以产生激子，并激子从激发态跃迁至基态来发射光。有机电致发光显示器件由于其自发光的特性所以不需要额外的光源，所以与液晶显示(LCD)器件相比，有机电致发光显示器件外形小并且重量轻。有机电致发光显示器件还具有功耗低，亮度高以及响应时间快的优点。并且，有机电致发光显示器件由于其简单的制造工序可减少制造成本。

图1是根据相关技术的有机电致发光显示(OLED)器件的像素的等效电路图，并且图1示出了双薄膜晶体管结构的像素。

如图1所示，扫描线S和数据线D限定出像素区域。在像素区域中形成有开关薄膜晶体管(TFT)N1、电容C、驱动薄膜晶体管(TFT)N2以及有机发光二极管OLED。开关TFT N1和驱动TFT N2为NMOS(n沟道金属氧化物半导体)晶体管并包括非晶硅(a-Si:H)。

开关TFT N1的栅极与扫描线S相连，并且开关TFT N1的源极与数据线D相连。电容C的一个电极与开关TFT N1的漏极相连，并且电容C的另一电极与地GND相连。驱动TFT N2的栅极与开关TFT N1的漏极以及电容C的所述的一个电极相连，并且驱动TFT N2的源极与地GND相连，驱动TFT N2的漏极与有机发光二极管OLED的阴极相连。有机发光二极管OLED的阳极与提供驱动电压的电源线VDD相连。

具有上述结构的有机电致发光显示器件可参照图2驱动。图2示出了该有机电致发光显示器件的时序图。

通过由第n条扫描线S(n)(n为自然数)提供的正选择电压VGH，开关TFT N1导通，并且电容C由于数据线D提供的数据电压Vdata而充电。因为驱动TF TN2具有N型沟道，所以数据电压Vdata为正。流过驱动TFT N2的电流强度取决于存储在电容C中的数据电压Vdata以及驱动电压VDD，并且该有机发光二极管OLED根据该电流强度而发光。

在两个晶体管和一个电容的像素结构中，为了在施加了正数据电压Vdata以后持续保持驱动TFT N2为导通状态，包括非晶硅(a-Si:H)的驱动TFT N2接收存储在电容C中的正电压。这进一步增加驱动TFT N2的恶化，并将改变驱动TFT N2的阈值电压。

图3为表示由于薄膜晶体管的恶化而导致阈值电压改变的曲线图。图3中，曲线A表示在该薄膜晶体管恶化之前该薄膜晶体管的电流-电压特性。曲线B表示该薄膜晶体管持续施加有正电压并恶化以后该薄膜晶体管的电流-电压特性。曲线B的阈值电压Vth2高于曲线A的阈值电压Vth1。

恶化缩短了驱动TFT的寿命，并且降低有机发光二极管OLED的亮度。

发明内容

因此，本发明提出一种有机电致发光显示器件及其驱动方法，其中该器件的薄膜晶体管可避免恶化并可显示高质量图像。

本发明的一个技术方案中，提供了一种有机电致发光显示器件，包括：在显示图像的显示区域中的多个像素，每个像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，其通过第n个扫描信号(n为自然数)输出数据电压；第二晶体管，其通过所述数据电压将电流提供给所述有机发光二极管；及存储所述数据电压的电容；以及第三晶体管，其通过第(n-1)个扫描信号将预充电压提供给所述每个像素的第二晶体管和电容，其中所述预充电压具有与所述数据电压相反的极性，其中所述第三晶体管设置在不显示图像的非显示区域。