[发明专利]用于热增强和等离子体增强气相沉积的装置及操作方法

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成沉积物的沉积系统，包括：

第一组件，具有处理空间，所述处理空间设置为便于材料沉积；

第二组件，连接到所述第一组件并具有传递空间，所述传递空间便于将所述衬底传递进出所述沉积系统；

衬底载台，连接到所述第二组件并设置为对所述衬底进行支撑以及将所述衬底在所述处理空间中的第一位置到所述处理空间中的第二位置之间进行传递以改变所述处理空间的大小；以及

密封组件，具有密封件，所述密封件设置为在所述衬底在所述处理空间中的平移过程中阻挡气体在所述处理空间与所述传递空间之间流动。

2.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，在所述衬底从所述第一位置平移到所述传递空间中的第三位置过程中，所述密封组件设置成使所述密封件脱离接合。

3.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述密封件设置为使所述处理空间与所述传递空间真空隔离。

4.根据权利要求3所述的沉积系统，其中，所述密封件设置为将从所述处理空间到所述传递空间的气体泄漏率减小到小于10^-3Torr-l/s。

5.根据权利要求3所述的沉积系统，其中，所述密封件设置为将从所述处理空间到所述传递空间的气体泄漏率减小到小于10^-4Torr-l/s。

6.根据权利要求1所述的沉积系统，还包括：

第一压力控制系统，连接到所述第一组件并设置为在处理过程中对所述处理空间进行抽气；

第二压力控制系统，连接到所述第二组件并设置为在所述传递空间中提供污染物较少的环境；

气体注入系统，连接到所述第一组件并设置为在所述材料沉积过程中向所述处理空间引入处理成分；以及

温度控制系统，连接到所述衬底载台并设置为对所述衬底的温度进行控制。

7.根据权利要求1所述的沉积系统，其中：

所述第一组件包括所述沉积系统的上部，所述第二组件包括所述沉积系统的下部；

所述衬底载台设置为使所述衬底在垂直方向上平移。

8.根据权利要求1所述的沉积系统，还包括：

功率源，设置为将能量耦合到所述处理空间中的处理气体成分以便形成等离子体。

9.根据权利要求8所述的沉积系统，其中：

所述功率源包括射频电源，所述射频电源设置为输出频率从0.1到100MHz的射频能量；

所述衬底载台包括电极，所述电极连接到所述射频电源并设置为将所述射频能量耦合到所述处理空间中。

10.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述第一组件包括：

从所述第一组件延伸的延伸物，用于将所述处理空间与所述传递空间隔开。

11.根据权利要求10所述的沉积系统，其中，所述延伸物包括内部通道，所述内部通道提供从所述延伸物第一侧到第二侧的气体传导，所述延伸物第一侧靠近所述衬底载台，所述第二侧以纵向方式设在所述延伸物与所述第一侧相对的那端。

12.根据权利要求11所述的沉积系统，其中，所述延伸物包括所述延伸物第一侧附近的密封板。

13.根据权利要求12所述的沉积系统，其中，所述衬底载台包括：

凸缘，设置为在所述衬底载台向所述第一组件平移时接触所述延伸物的密封板。

14.根据权利要求13所述的沉积系统，其中，所述凸缘包括设置为紧靠所述密封板进行密封的所述密封件。

15.根据权利要求14所述的沉积系统，其中，所述密封件包括：

O形圈、渐细弹性体或螺旋弹簧密封件中的至少一种。

16.根据权利要求15所述的沉积系统，其中，所述渐细弹性体包括：

三角形的弹性体。

17.根据权利要求10所述的沉积系统，其中，所述延伸物包括：

膜盒单元，设置为在所述衬底载台的平移方向上压缩。

18.根据权利要求10所述的沉积系统，其中，所述延伸物包括：

保护装置，设置为将所述密封元件与所述处理空间遮蔽开。