[发明专利]排气装置及包含该排气装置的反应腔室有效
| 申请号： | 200610169563.9 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207001A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵梦欣 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 排气装置 包含 反应 | ||
1.一种排气装置，为平面环状结构，其上开有多个上下相通的排气孔，其特征在于，所述的排气装置一侧的多个排气孔的总导通面积大于排气装置另一侧的多个排气孔的总导通面积。
2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述的排气装置自一侧到另一侧，排气孔的分布密度逐渐减小；和/或，排气孔的横截面面积逐渐减小。
3.根据权利要求1或2所述的排气装置，其特征在于，所述的排气孔的横截面的形状为圆形或椭圆形或长条形或多边形。
4.根据权利要求1或2所述的排气装置，其特征在于，所述的排气孔的纵向截面的形状为矩形或梯形或漏斗形。
5.根据权利要求1或2所述的排气装置，其特征在于，所述的排气装置的上表面上设有绝缘涂层。
6.根据权利要求5所述的排气装置，其特征在于，所述的绝缘涂层的厚度为50-350μm。
7.根据权利要求5所述的排气装置，其特征在于，所述的绝缘涂层是三氧化二钇Y2O3或者三氧化二铝Al2O3。
8.根据权利要求1或2所述的排气装置，其特征在于，所述的排气装置的表面采用阳极氧化处理。
9.一种反应腔室，其特征在于，反应腔室的下部设有上述排气装置，排气装置的下方靠近排气孔的总导通面积较小的一侧设有抽气腔室。
10.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述的排气装置设有绝缘涂层的一面靠近反应腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
