[发明专利]GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法

权利要求书

1.一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；

步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；

步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；

步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；

步骤5：调节外接电源的输出电压，使激光器管芯的外接偏置电压按步长L增加；

步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4，若是停止测量。

2.根据权利要求1所述的GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，其中激光器管芯是法布里-伯罗腔型GaAs基半导体量子点激光器p-i-n异质结管芯。

3.根据权利要求1所述的GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，其中激光器管芯腔面是指激光器管芯的法布里-伯罗腔的反射端面。

4.根据权利要求1所述的GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，其中光垂直于激光器管芯腔面入射，是指激光器管芯的法布里-伯罗腔的反射端面即入射光的照射面，光垂直于此腔面入射。

5.根据权利要求1所述的GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，其中激光器管芯处于反偏状态是指p-i-n结的激光器管芯的p面电极接外接电源的负极，n面电极接外接电源的正极，使p-i-n结处于反向偏置状态。

6.根据权利要求1所述的GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，其中光电流曲线是指光电流随入射光子能量变化的曲线，对于GaAs基半导体量子点材料，入射光子能量一般要包括GaAs带边能量室温为1.423eV以下的所有有光电流信号的光子能量。

7.根据权利要求1所述的GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，其中光电流曲线的测量均在室温下进行。

8.一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的分析方法，本方法是利用权利要求1所述的检测方法的检测结果，其特征在于，包括步骤如下：

步骤1：将所测的每条光电流曲线中GaAs带边能量以下的光子能量对应的光电流信号做积分，一条曲线对应得出一个总的积分强度I，并记下测量曲线时所加的偏置电压值V；

步骤2：通过公式：

F=V+VDWi]]>

计算出激光器管芯本征层所受的电场F，其中V_D是指GaAs基p-i-n结的内建势，约1.5V，W_i是指激光器管芯本征层的厚度；

步骤3：由上述步骤1和步骤2所得出的数据，绘出I-F曲线。I-F曲线有以下规律：可分为三段，第一段，本征层所受的电场较小，随着电场的增加总积分强度I急剧增加，第三段，本征层所受的电场较大，随着电场的增加总积分强度I基本呈线性缓慢增加规律，第二段，即中间一段，I处于急剧增加到缓慢增加过程中的过渡段；

步骤4：用直线y＝A+BX对I-F曲线中第三段线性增加区域的数据进行拟合，得出A和B的值；

步骤5：定义激光器管芯质量的指标K0为B/A。