[发明专利]存储器测试的方法有效
申请号: | 200610170353.1 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN101097783A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 庄建祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/18 | 分类号: | G11C29/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 测试 方法 | ||
1.一种存储器测试的方法,其特征在于,用以测试一存储器,该存储器具有多个电荷储存单元,所述多个电荷储存单元耦接至多个位线、一或多个单元板以及一或多个位线板,其中所述单元板用以偏压所述电荷储存单元,所述位线板用以偏压所述位线,该存储器测试的方法包括下列步骤:
将该存储器置于一测试模式;
套用一测试样本至该存储器;
当写入一个‘1’到一既定单元时,提供一个第一电压到该单元板,其中该第一电压是高于一正供应电压的一半;以及
当写入一个‘0’到该既定单元时,提供一个第二电压到该单元板,其中该第二电压是低于该正供应电压的一半;
其中该第一电压以及该第二电压是用以模拟存储器单元里的弱电荷储存。
2.根据权利要求1所述的存储器测试的方法,其特征在于,该套用该测试样本的步骤更包括:
套用一March测试样本。
3.根据权利要求1所述的存储器测试的方法,其特征在于,该提供该第一电压或该第二电压的步骤更包括:
当每一所述电荷储存单元都写入‘1’或都写入‘0’时,在一完整的周期中提供一特定电压电平给该单元板。
4.根据权利要求1所述的存储器测试的方法,其特征在于,更包括下列步骤:
当预期由该既定单元中读取一个‘1’时,提供一第三电压到该位线板,其中该第三电压是高于该正供应电压的一半;以及
当预期由该既定单元中读取一个‘0’时,提供一第四电压到该位线板,其中该第四电压是低于该正供应电压的一半;
其中该第三电压以及该第四电压是用以模拟存储器单元的电荷衰退。
5.根据权利要求4所述的存储器测试的方法,其特征在于,该提供该第三电压或该第四电压的步骤更包括:
当预期由每一所述电荷储存单元中读取到‘1’或读取到‘0’时,在一完整的周期中提供一特定电压电平给该位线板。
6.根据权利要求1所述的存储器测试的方法,其特征在于,该存储器是为一动态随机存取存储器。
7.一种存储器测试的方法,其特征在于,用以测试一存储器,该存储器具有多个电荷储存单元,所述多个电荷储存单元耦接至多个位线、一或多个单元板以及一或多个位线板,其中所述单元板用以偏压所述电荷储存单元,所述位线板用以偏压所述位线,该存储器测试的方法包括下列步骤:
将该存储器置于一测试模式;
套用一测试样本至该存储器;
当预期由一既定单元中读取一个‘1’时,提供一第一电压到该位线板,其中该第一电压是高于一正供应电压的一半;以及
当预期由该既定单元中读取一个‘0’时,提供一第二电压到该位线板,其中该第二电压是低于该正供应电压的一半;
其中该第一电压以及该第二电压是用以模拟存储器单元的电荷衰退。
8.根据权利要求7所述的存储器测试的方法,其特征在于,更包括下列步骤:
当写入一个‘1’到该既定单元时,提供一第三电压到该单元板,其中该第三电压是高于该正供应电压的一半;以及
当写入一个‘0’到该既定单元时,提供一第四电压到该单元板,其中该第四电压是低于该正供应电压的一半;
其中该第三电压以及该第四电压是用以模拟存储器单元里的弱电荷储存;该套用该测试样本的步骤更包括:套用一March测试样本。
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