[发明专利]液晶面板的晶胞厚间隙形成方法

说明书

一、技术领域

本发明涉及一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，特别是应用于液晶面板制造，通过一上下可粘贴的隔离层与液晶面板的顶底层基板粘贴结合而形成厚液晶晶胞间隙的方法。

二、背景技术

液晶是广泛使用于显示产品的材料，液晶通过电压加在两面电极而形成一光通开-关作用。通常，现有液晶层在二个电极之间的厚度是非常稀薄的，举例而言，在TFT-LCD型态的液晶显示面板，厚度在6到8微米(um)；在TN或STN型态的液晶显示面板的液晶层与间隙则是在10微米以下；LCOS微型显示器(micro display)的液晶层平均厚度在3到5微米左右。

现有的较薄厚度的液晶面板特性归纳如下：1、液晶分子极快速上升与下降反应时间，厚度较薄的晶胞间隙及低电压驱动的液晶材料，低电压驱动可以达到更低的电力消耗，和容易设计电子控制电路。2、较高的透射率，厚度较薄的液晶层可以产生较高的穿透率。3、容易组装，厚度较薄的晶胞间隙，通常以间隔粒来维持晶胞间隙一致。晶胞间隙广泛被液晶显示器产业采用，更小的间隔粒子，较容易取得及在制程中易处理。

但是，在某些应用领域中，厚度较厚的液晶层是有其必要与需求，厚度较厚的液晶层如以上述现有厚度较薄的液晶层制法，将遇到不利制造问题。如在现有的液晶面板生产过程中，由玻璃基板在内面点胶并形成一液晶腔以供容置液晶，再由一顶端玻璃基板盖在顶端，形成内部液晶腔结构，然后于边缘处开口，让液晶腔由抽真空机抽真空后将液晶注入真空的液晶腔内，或者是通过另外一种现有滴下式液晶注入方式，由液晶液滴填入液晶腔中，并混合间隔粒，使该晶胞间隙可以被形成与维持。

如果液晶晶胞间隙增加到30微米(um)，50微米(um)，100微米(um)，或者更高时，间隔粒取得不易，并且所需花费的成本会大幅增加。即使较大粒径的间隔粒供应问题可以勉强解决，但液晶腔结构无法维持与形成厚度较薄的粘着内壁，且宽度将大为增加，无法满足小型化需求，在某些制程情况下，是无法接受此种结构。

相关在先专利技术文献方面，如中国台湾发明公开公报第200610585号“液晶显示面板间隙物制造方法”发明公开案，揭示典型现有液晶显示面板的制作方法，仅能够使间隙物分布均匀，无法达到厚间隙的形成效果。

三、发明内容

本发明的主要目的在于克服现有产品存在的上述缺点，而提供一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其是通过一隔离层预先设置系列空洞，以供液晶以ODF方法注入，并进而由隔离层形成晶胞厚间隙。

本发明的再一目的在于提供一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，增加生产周期，节省间隔粒成本，并提升液晶晶胞生产质量。

本发明的目的是由以下技术方案实现的。

本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

(A)底面基板及顶面基板定位，将一底面基板与一顶面基板输送至之固定位置，即顶面基板位于底面基板上方；

(B)隔离层移动至定位，即至少一隔离层移动对应至步骤A的底面基板与顶面基板之间位置，即位于底面基板上方及顶面基板下方间位置，隔离层内设有数个隔离柱与空洞；

(C)隔离层粘合至底面基板，即将步骤B的隔离层下方粘合至底面基板顶端；

(D)注入液晶于隔离层之空洞中，将步骤c完成粘合底面基层之隔离层，供液晶注入该步骤A的隔离层的空洞中；

(E)粘合隔离层与顶面基板，即藉由步骤D完成液晶注入步骤的隔离层顶端的上端粘合至步骤A的顶面基板下方，使该底面基板、隔离层与顶面基板结合为一体；

(F)用紫外光设备照射加热，即将步骤E完成底面基板、隔离层与顶面基板组合一体的结构，通过紫外光设备进行照射加热，使隔离层与底面基板、顶面基板间稳固结合；

(G)裁切成型，即将步骤F完成紫外光照射的底面基板、隔离层与顶面基板组合一体的结构中的隔离层进行切割，形成一厚晶胞间隙的液晶面板产品。

前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤A中的底面基板包括：一底层，位于底部；一ITO导电层，结合于底层上；一配向层，结合于ITO导电层上。

前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述底层为玻璃；所述底层为挠性基板构成。