[发明专利]影像感应晶片的晶圆级测试模组及测试方法有效
申请号: | 200610170559.4 | 申请日: | 2006-12-26 |
公开(公告)号: | CN101211806A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 卢笙丰;李卫华 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/00;G01R1/073 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感应 晶片 晶圆级 测试 模组 方法 | ||
1.一种影像感应晶片的晶圆级测试系统,是包括有由下而上依序叠设的一探针卡、一基层、一光学层及一覆盖层,其特征在于,其中:
该探针卡是区分为一探测区及一电路区,该探测区具有光穿透性,该电路区上布设有电子电路并于邻近该探测区上设有多数个探针,该些探针为具有导电性的金属导体,用以接触探测上述的影像感应晶片,使电路区的电子电路与影像感应晶片电性导通;
该基层是设于该探测区上,具有多数个第一光孔,该些第一光孔具有光穿透性,相邻各该第一光孔的间距相当于上述影像感应晶片的晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距;
该覆盖层设于该基层上,具有多数个第二光孔分别对应于各该第一光孔而设置,该些第二光孔具有光穿透性;
该光学层设于该基层及该覆盖层之间,具有多数个穿孔分别对应于各该第一光孔而设置,各该穿孔中设有一光学透镜,各该光学透镜的光轴可通过该第一及第二光孔。
2.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中该基层、该覆盖层及该光学层为半导体硅材料所制成。
3.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中该基层、该覆盖层及该光学层为透明面板所制成,该透明面板具有良好的光穿透性,该基层及该光学层上分别各设有一吸收层,是为可吸收光线的薄膜材料且不具透光性。
4.依据权利要求3项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中该吸收层分别位于该基层上第一光孔以外的区域及该光学层上第二光孔以外的区域。
5.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中还设有至少一光学层,各该光学层之间相对应的各该光学透镜的光轴是为同轴。
6.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中各该光学透镜的外径相当于各该穿孔的孔径,各该光学透镜的光轴是正向通过该第一及第二光孔。
7.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中各该穿孔的孔径大于各该第一及第二光孔的孔径。
8.依据权利要求7项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中该基层及各该光学透镜之间还设有一间隙层,是对应位于各该第一光孔外围。
9.依据权利要求8项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,其特征在于,其中该间隙层是具有粘着性,且该间隙层具有多数个间隙粒子,各该间隙粒子的直径即为该间隙层的厚度。
10.一种影像感应晶片的晶圆级测试方法,是利用权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统,对同一晶圆结构上的各影像感应晶片进行光学影像感应测试,其特征在于,包括有以下的步骤:
a、备制一具备上述影像感应晶片的晶圆结构,该晶圆结构上各影像感应晶片具有一影像感测元件,各该影像感测元件并电性连接至少一测试垫;
b、将该晶圆级测试系统置于该晶圆结构上,使该探针卡的探测区对应有多数个该影像感测元件;
c、提供一光源,自该晶圆级测试系统上方朝向该探测区及该晶圆结构投射;
d、调整该晶圆级测试系统与该晶圆结构之间的横向相对位置与纵向相对间距,使各该光学透镜的有效光学成像分别位于所对应的各该影像感测元件上;
e、将该探针卡的该些探针电性连接该探测区所对应各该影像感测元件的测试垫。
11.依据权利要求10项所述的影像感应晶片的晶圆级测试方法,其特征在于,其中步骤c中该光源经光学滤波处理成为特定波长范围的可见光,然后照射至该些光学透镜。
12.依据权利要求11项所述的影像感应晶片的晶圆级测试方法,其特征在于,其中步骤c中该光源经光学滤波处理成为一平行光,然后照射至该些光学透镜,该平行光是为于光程中照光截面维持有相同的面积。
13.依据权利要求12项所述的影像感应晶片的晶圆级测试方法,其特征在于,其中步骤d中是先调整各该光学透镜的透镜主轴平面与该晶圆结构的晶圆平面的间距,使为各光学透镜的光学焦距,再水平调整该晶圆级测试系统与该晶圆结构之间的横向相对位置,使各该光学透镜将该光源聚焦于所对应的各该影像感测元件上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造