[发明专利]半桥式驱动装置无效
申请号: | 200610170588.0 | 申请日: | 2006-12-26 |
公开(公告)号: | CN101212189A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 陈振刚;王政雄 | 申请(专利权)人: | 联昌电子企业股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王月玲;武玉琴 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半桥式 驱动 装置 | ||
1.一种半桥式驱动装置,其特征在于,连接于一变压器的一次侧与一直流电源,包括有:
一第一光耦合开关,接收一第一控制信号;
一第一NPN晶体管,其集极端耦接于该第一光耦合开关的第一输出端,其基极端耦接于该第一光耦合开关的第二输出端;
一第一PNP晶体管,其基极端与射极端分别耦接于该第一NPN晶体管的基极端与射极端,其集极端耦接于该一变压器的一次侧;
一第一电阻,耦接于该第一PNP晶体管的基极端与集极端之间;
一第一电容,耦接于该第一NPN晶体管的集极端与该第一PNP晶体管的集极端之间;
一二极管,其阴极端耦接于该第一NPN晶体管的集极端,阳极端耦接于一控制电源;
一第二光耦合开关,接收一第二控制信号,其第一输出端通过一第二电阻耦接于该控制电源,第二输出端耦接到一参考端;
一第二PNP晶体管,其射极端耦接于该控制电源,其基极端通过一第三电阻耦接于该第二光耦合开关的第一输出端;
一第二NPN晶体管,其基极端通过一第四电阻耦接于该第二光耦合开关的第一输出端以及通过一第五电阻耦接于该参考端,其射极端耦接于该参考端,其集极端耦接于该第二PNP晶体管的集极端;
一第一N通道场效晶体管,其闸极端耦接于该第一PNP晶体管的射极端,其汲极端耦接于该直流电源,其源极端耦接于该变压器的一次侧;及
一第二N通道场效晶体管,其闸极端耦接于该第二PNP晶体管的集极端,其汲极端耦接于该第一N通道场效晶体管的源极端,该第二N通道场效晶体管的源极耦接到该参考端。
2.如权利要求1所述的半桥式驱动装置,其特征在于,该直流电源经过导通的第一N通道场效晶体管,提供一正直流电源给该变压器,以形成一正半周驱动。
3.如权利要求1所述的半桥式驱动装置,其特征在于,进一步包括有一共振电容器,该共振电容器串联耦接于该变压器的一次侧。
4.如权利要求3所述的半桥式驱动装置,其特征在于,经过导通的第二N通道场效晶体管,该共振电容器提供一负直流电源给该变压器,以形成一负半周驱动。
5.如权利要求1所述的半桥式驱动装置,其特征在于,该第一控制信号与该第二控制信号由一推挽式控制芯片输出,且其占空比皆小于50%。
6.如权利要求1所述的半桥式驱动装置,其特征在于,进一步包括有一第一稽纳二极管耦接于该第一N通道场效晶体管的闸-源极之间。
7.如权利要求1所述的半桥式驱动装置,其特征在于,进一步包括有一第二稽纳二极管耦接于该第二N通道场效晶体管的闸-源极之间。
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