[发明专利]以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法

权利要求书

1.一种以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，包括：

提供半导体基材，其上具有熔丝线，形成在介电层堆叠结构中，该介电层堆叠结构包括有目标层，覆盖在该熔丝线上，至少一中间介电材料层，覆盖在该目标层上，以及保护层覆盖在该中间介电材料层上，该保护层上形成具有开口的光致抗蚀剂层，该开口位于该熔丝线的正上方，并定义出该熔丝窗的形状；

进行第一干蚀刻工艺，经由该开口以非选择性的方式蚀刻该保护层以及该中间介电材料层，暴露出该目标层；

进行第一厚度量测步骤，量测在完成该第一干蚀刻工艺之后的该目标层的厚度；

进行第二干蚀刻工艺，根据在该第一厚度量测步骤所量测到的该目标层的厚度决定出蚀刻时间，继续蚀刻掉一部分的该目标层厚度，以达到预定的厚度，完成该熔丝窗；以及

进行第二厚度量测步骤，量测在完成该第二干蚀刻工艺之后的该目标层的剩余厚度。

2.如权利要求1所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该保护层、该中间介电材料层以及该目标层分别由不同的介电材料所构成。

3.如权利要求1所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该保护层包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该中间介电材料层包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该目标层包括FSG。

6.如权利要求1所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该目标层与该熔丝线之间另提供有盖层。

7.如权利要求6所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该盖层包括氮化硅以及碳化硅。

8.如权利要求1所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该第一次的厚度量测步骤所量测到的厚度资讯是预先提供给先进自动控制单元，再由该先进自动控制单元利用此反馈的厚度资讯，计算出该第二干蚀刻工艺所需要的精确蚀刻时间。

9.一种以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，包括：

提供半导体基材，其上具有熔丝线，形成在介电层堆叠结构中，该介电层堆叠结构包括有目标层，覆盖在该熔丝线上，第一中间介电材料层，覆盖在该目标层上，第二中间介电材料层，覆盖在该第一中间介电材料层上，以及保护层覆盖在该第二中间介电材料层上，该保护层上形成具有开口的光致抗蚀剂层，该开口位于该熔丝线的正上方，并定义出该熔丝窗的形状；

进行第一干蚀刻工艺，经由该开口以非选择性的方式蚀刻该保护层以及该第二中间介电材料层，以于该保护层以及该第二中间介电材料层中形成过渡熔丝窗；

进行第一厚度量测步骤，量测在完成该第一干蚀刻工艺之后所剩的该第二中间介电材料层、该第一中间介电材料层及该目标层的加总厚度；

进行第二干蚀刻工艺，根据在该第一厚度量测步骤所量测到的该加总厚度决定出蚀刻时间，继续经由该过渡熔丝窗蚀刻掉该第二中间介电材料层、该第一中间介电材料层以及一部分的该目标层厚度，以达到预定的厚度，完成该熔丝窗；以及

进行第二厚度量测步骤，量测在完成该第二干蚀刻工艺之后的该目标层的剩余厚度。

10.如权利要求9所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该保护层包括氧化硅。

11.如权利要求9所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该第一中间介电材料层包括氮化硅。

12.如权利要求9所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该第一中间介电材料层与该第二中间介电材料层是由不同的介电材料所构成。

13.如权利要求9所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该目标层包括FSG。

14.如权利要求9所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该目标层与该熔丝线之间另提供有盖层。

15.如权利要求14所述的以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，其中该盖层包括氮化硅以及碳化硅。