[发明专利]液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

制备限定了分为薄膜晶体管区和存储区的像素部分的绝缘基板；

在所述基板的整个表面上顺序地形成多晶硅膜、绝缘膜和存储电极膜；

在所述存储电极膜上形成遮挡膜；

利用衍射曝光掩模对所述遮挡膜选择性地进行构图以形成所述遮挡膜，使得所述遮挡膜在所述像素部分的所述薄膜晶体管区上的部分比所述遮挡膜在所述像素部分的所述存储区上的部分要薄；

利用经构图的所述遮挡膜对所述存储电极膜、所述绝缘膜和所述多晶硅膜进行构图；

去除保留在所述薄膜晶体管区上的所述遮挡膜以在所述存储区形成存储电极并同时在所述薄膜晶体管区中形成有源层，所述有源层由被所述存储电极暴露的多晶硅膜形成；

去除保留在所述存储电极上的所述遮挡膜；

在具有所述有源层的所述基板上形成栅绝缘膜；

分别在所述像素部分的所述薄膜晶体管区的所述有源层上形成所述像素部分的栅极，并在所述存储电极上形成公共线；

在所述有源层中在所述像素部分的所述栅极的两侧的下方形成所述像素部分的源区和漏区；

在具有所述像素部分的所述源区和漏区的所述基板上形成钝化膜；

对所述钝化膜进行构图，以分别形成分别暴露所述像素部分的所述源区和漏区的第一接触孔和第二接触孔；

用所述第一接触孔对所述钝化膜进行填充以形成所述像素部分的与所述像素部分的所述源区相连接的源极，还用所述第二接触孔对所述钝化膜进行填充以形成所述像素部分的与所述像素部分的所述漏区相连接的漏极；以及

形成所述像素部分的源极图案和漏极图案，所述源极图案覆盖所述像素部分的所述源极，所述漏极图案覆盖所述像素部分的所述漏极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通过对所述存储电极膜、所述绝缘膜以及所述多晶硅膜选择性地进行构图来形成所述像素图案。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，由氧化硅膜形成所述绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，由N+硅层形成所述存储电极膜。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，由金属膜形成所述存储电极膜。

6.根据权利要求1所述的制造方法，该制造方法还包括在所述基板与所述多晶硅膜之间形成缓冲层的步骤。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，将所述第二接触孔形成为同时暴露所述像素部分的所述漏区和所述存储电极的一部分。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通过在具有所述像素部分的所述源区和漏区的所述基板上淀积氧化硅膜并对该氧化硅膜进行活化退火、并且在具有活化氧化硅膜的所述基板上淀积氮化硅膜并对该氮化硅膜进行氢化退火，来形成所述钝化膜。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通过在具有所述像素部分的所述源区和漏区的所述基板上顺序地形成氧化硅膜和氮化硅膜、并在对所述氮化硅膜和所述氧化硅膜进行退火之后同时执行对所述氧化硅膜的活化和对所述氮化硅膜的氢化，来形成所述钝化膜。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通过在具有所述像素部分的所述源区和漏区的所述基板上顺序地形成氧化硅膜、氮化硅膜以及氧化硅膜来形成所述钝化膜。