[发明专利]具区域性粗化表面的固态发光设备及其制作方法

权利要求书

1.一种具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于包含：

基底；

形成于该基底并沿叠置方向具有依序包含第一型半导体层、有源层及第二型半导体层的外延膜，该第一型半导体层具有未被该有源层与该第二型半导体层覆盖的平坦面；

形成于该第二型半导体层并含有II族元素及V族元素的接触膜，其具有介于0.7eV～6.0eV之间的能隙；

与该外延膜夹置有该接触膜并具有与该接触膜连通的通孔的粗化膜，其具有含有III族及V族元素的粗化层；

设置于该平坦面的第一接触电极；及

填置于该通孔的第二接触电极。

2.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

还包含夹置于该第二接触电极与该接触膜之间的反射膜。

3.如权利要求2所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该反射膜是选自钛、铝、银、金、铬、铂、铜，或此等的组合。

4.如权利要求2所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该反射膜的厚度介于1nm～100nm之间。

5.如权利要求4所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该反射膜的厚度介于10nm～80nm之间。

6.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该粗化膜还具有叠置于该粗化层的透明传导层，该接触膜的能隙介于0.9eV～5.4eV之间。

7.如权利要求6所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该接触膜是由II-V族化合物构成；II族元素是选自锌、铍、镁、钙、锶、钡、镭，或此等的组合；V族元素是选自氮、磷、砷、锑、铋，或此等的组合。

8.如权利要求7所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该II-V族化合物由Mg_xN_y的化学式构成，1≤x≤3，1≤y≤3。

9.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该接触膜的厚度介于0.5nm～50nm之间。

10.如权利要求9所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该接触膜的厚度介于1nm～20nm之间。

11.如权利要求1所述的，其特征在于：

该粗化层的III族元素是选自硼、铝、镓、铟、铊，或此等的组合；该粗化层的V族元素是选自氮、磷、砷、锑、铋，或此等的组合。

12.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该粗化层的平均厚度至少大于50nm。

13.如权利要求12所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该粗化层的平均厚度介于50nm～3000nm之间。

14.如权利要求13所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该粗化层的平均厚度介于1000nm～2500nm之间。

15.如权利要求1所述的具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于：

该外延膜由氮化镓系为主的材料构成；该第一、二型半导体层分别是n型半导体层及p型半导体层。