[实用新型]行场扫描电路无效

专利信息
申请号: 200620016347.6 申请日: 2006-12-07
公开(公告)号: CN200976632Y 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 张颐辉 申请(专利权)人: 深圳创维-RGB电子有限公司
主分类号: H04N3/23 分类号: H04N3/23;H04N3/20;H04N3/16
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 代理人: 张全文
地址: 518000广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 扫描 电路
【权利要求书】:

1、一种行场扫描电路,包括X射线保护电路、场偏转线圈、场S校正电容及三极管Q1,所述X射线保护电路的一端与FBT连接,另一端与所述三极管Q1的b极连接,所述三极管Q1的e极接地,c极与MCU连接;所述场偏转线圈与所述场S校正电容连接之后与所述三极管Q1的b极连接,其特征在于,所述行场扫描电路还包括二极管D2,所述二极管D2的正极与所述场S校正电容连接,负极与所述三极管Q1的b极连接。

2、如权利要求1所述的行场扫描电路,其特征在于,所述行场扫描电路还包括电阻R8,所述电阻R8连接在所述二极管D2的正极与所述三极管Q1的b极之间。

3、如权利要求1所述的行场扫描电路,其特征在于,所述行场扫描电路还包括电阻R6,所述电阻R6的一端与所述三极管Q1的b极连接,另一端与所述二极管D2及X射线保护电路连接。

4、如权利要求1所述的行场扫描电路,其特征在于、所述X射线保护电路包括对交流进行整流的二极管D1、进行滤波的电容C1、分压电阻R2、R3(56K/1/4W)、R4、稳压二极管ZD1,所述FBT的一脚与所述二极管D1的正极连接,所述二极管D1的负极与所述电容C1及所述分压电阻R2连接;所述分压电阻R2、R3、R4串联连接,所述分压电阻R3与R4的连接处连接有稳压二极管ZD1,所述稳压二极管的另一端与所述三极管Q1的b极连接。

5、如权利要求4所述的行场扫描电路,其特征在于,所述FBT与所述二极管D1之间连接有电阻R1。

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