[实用新型]一种I2C电平转换电路有效
申请号: | 200620016596.5 | 申请日: | 2006-12-19 |
公开(公告)号: | CN200983580Y | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 何广举 | 申请(专利权)人: | 康佳集团股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/018;H03K17/60 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 518053广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sup 电平 转换 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及开关电路,更具体地说,涉及一种I2C(Inter IntegratedCircuit,IIC)电平转换电路。
背景技术
电子产品中的I2C(Inter Integrated Circuit)总线电平种类越来越多,例如,在同一个系统中既有5V的I2C总线器件,又有3.3V的I2C总线器件,要实现它们之间的正常通讯,就需要进行电平转换。已有技术利用NMOS的开关特性,如图1,在I2C高电平总线1(IIC_BUS_HV)或I2C低电平总线2(IIC_BUS_LV)为低电平时,NMOS导通,保证低电平传输正常;当I2C高电平总线1(IIC_BUS_HV)和I2C低电平总线2(IIC_BUS_LV)均为高电平时,NMOS关断,则I2C高电平总线1(IIC_BUS_HV)和I2C低电平总线2(IIC_BUS_LV)将保持各自的高电平电压值互不干扰。但由于NMOS管的各极之间等效电容较大,该电路中NMOS管关断时间长,较难克服对地等效电容大和高电平上升时间长的缺点,制约了I2C总线的最高工作频率。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述对地等效电容大和高电平上升时间长的缺陷,提供一种对地等效电容较小和高电平上升时间较短的I2C电平转换电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种I2C电平转换电路,包括I2C高电平总线1、I2C低电平总线2以及连接在上述两种总线之间的开关器件3,所述开关器件3在上述两种总线有一个为低电平时导通,在上述两种总线均为高电平时截止,所述开关器件3包括第一晶体管31和第二晶体管32,所述第一晶体管31的发射极和所述第二晶体管32的集电极连接在所述I2C高电平总线1上;所述第一晶体管31的集电极和所述第二晶体管32的发射极连接在所述I2C低电平总线2上;所述第一晶体管31和第二晶体管32的基极连接在其控制信号输入端4上。
在本实用新型所述的I2C电平转换电路中,所述第一晶体管(31)和第二晶体管(32)为同一类型的晶体管。
在本实用新型所述的I2C电平转换电路中,所述第一晶体管31和第二晶体管32的基极连接在一起,并连接在同一个控制信号输入端4上。
在本实用新型所述的I2C电平转换电路中,所述控制信号输入端4与第一晶体管31和第二晶体管32的基极之间串接有限流电阻。
在本实用新型所述的I2C电平转换电路中,所述第一晶体管(31)和第二晶体管(32)包括高速开关NPN型晶体管。
在本实用新型所述的I2C电平转换电路中,所述第一晶体管31和第二晶体管32包括mmbt3904。
在本实用新型所述的I2C电平转换电路中,所述基极控制信号的电压值大致较所述I2C低电平总线的电源电压低0.6V。
实施本实用新型的I2C电平转换电路,具有以下有益效果:由于采用晶体管作为开关器件,而晶体极管的等效电容很小,所以该电路对地等效电容较小和高电平上升时间较短。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1是I2C电平转换现有技术的电路图;
图2是本实用新型实施例I2C电平转换电路的电路原理图。
具体实施方式
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