[实用新型]主板保护电路无效
申请号: | 200620016700.0 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN200990056Y | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 任泽书 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26;G06F11/00 |
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地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主板 保护 电路 | ||
1.一种主板保护电路,用来对CPU电源接口漏接CPU电源线的主板进行保护,包括一提供CPU电压信号的电源及一电源管理器,所述电源具有一电源控制信号引脚,所述电源管理器具有一电源控制信号引脚及一休眠信号输出引脚,其特征在于:所述主板保护电路还包括一第一三极管、一第二三极管及一第三三极管,所述第一三极管的第一极与所述主板的CPU电源接口相连,所述第一三极管的第二极与所述电源管理器的休眠信号输出引脚相连,所述第一三极管的第三极接地;所述第二三极管的第一极与所述第一三极管的第二极相连,所述第二三极管的第二极与所述第三三极管的第一极相连并引入一第一备份电压信号,所述第二三极管的第三极接地;所述第三三极管的第二极与所述电源的电源控制信号引脚相连并引入一第二备份电压信号,所述第三三极管的第三极与所述电源管理器的电源控制信号引脚相连;所述第一、第二及第三三极管均为在其第一极的电压为高电平时导通的三极管。
2.如权利要求1所述的主板保护电路,其特征在于:该主板保护电路还包括一延迟时间大于所述电源输出的CPU电压信号从低电平跳变为高电平的时间的延时电路,所述延时电路与所述电源管理器的休眠信号输出引脚相连,所述第一三极管的第二极通过所述延时电路引入所述电源管理器的休眠信号输出引脚输出的休眠信号。
3.如权利要求2所述的主板保护电路,其特征在于:该主板保护电路还包括一第四三极管,所述电源管理器还具有一开关信号引脚,所述第四三极管的第一极与所述第一三极管的第二极及所述第二三极管的第一极相连并通过所述延时电路引入所述休眠信号,所述第四三极管的第二极与所述电源管理器的开关信号的引脚相连,所述第四三极管的第三极接地。
4.如权利要求3所述的主板保护电路,其特征在于:该主板保护电路还包括一开关电路,所述开关电路包括一开关,所述开关的一端接地,另一端与所述电源管理器的开关信号引脚相连并引入所述第一备份电压信号。
5.如权利要求4所述的主板保护电路,其特征在于:所述延时电路包括一第一电阻及一电容,所述第一电阻的第一端与所述电源管理器的休眠信号输出引脚相连,所述第一电阻的第二端与所述电容的第一端相连,所述电容的第二端接地,所述第一电阻的第二端及所述电容的第一端与所述第一三极管的第二极、所述第二三极管的第一极及所述第四三极管的第一极均相连。
6.如权利要求5所述的主板保护电路,其特征在于:所述第一三极管、第二三极管及第四三极管均为场效应管,所述第一三极管、第二三极管及第四三极管的第一极是所述场效应管的栅极,所述第一三极管、第二三极管及第四三极管的第二极是所述场效应管的漏极,所述第一三极管、第二三极管及第四三极管的第三极是所述场效应管的源极。
7.如权利要求6所述的主板保护电路,其特征在于:所述第一三极管、第二三极管及第四三极管均为N沟道增强型MOS场效应管。
8.如权利要求1所述的主板保护电路,其特征在于:所述第三三极管的第一极经过一第二电阻引入所述第一备份电压信号。
9.如权利要求8所述的主板保护电路,其特征在于:所述第三三极管为一双极性的NPN型三极管,所述第三三极管的第一极为该NPN型三极管的基极,所述第三三极管的第二极为该NPN型三极管的集电极,所述第三三极管的第三极为该NPN型三极管的发射极。
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