[实用新型]使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源封装结构

权利要求书

1.一种使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源封装结构，主要包括低温共烧陶瓷基板(1)和固定在基板上的LED芯片(2)，基板的上表面具有放置LED芯片的凹坑；其特征在于低温共烧陶瓷基板为平板状，导电通路和导热通路互相独立。

2.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于基板的材料由热传导系数大于3.0W/m·K的陶瓷材料形成。

3.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于整个基板的热膨胀系数不大于7×10^-6/℃。

4.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于基板进行热电分离设计，采用专用导热柱(15)和导热焊盘(18)，导热柱中充满高导热性的金属浆料，浆料的热传导系数不小于150W/m·K；导热柱为圆孔，直径在0.1mm到0.3mm之间，封装时，LED芯片(2)放置于一边的导热焊盘上，另一边的导热焊盘则用焊料与散热装置焊接；同时基板还具有组成电通路的电极(16、17)和连接电极的连通孔(12)。

5.根据权利要求4所述封装结构，其特征在于低温共烧陶瓷基板的内外层电极使用银、金、铜或镍。

6.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于所述凹坑可为柱形、碗形或杯形，并且凹坑表面为高反射层。

7.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于LED芯片(2)的数量为一个或多个。

8.根据权利要求1所述封装结构，其特征在于在凹坑上方固定光学透镜(5)。