[实用新型]有机光电三极管无效
申请号: | 200620022192.7 | 申请日: | 2006-12-12 |
公开(公告)号: | CN201107811Y | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 哈尔滨东方专利事务所 | 代理人: | 陈晓光 |
地址: | 150080黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 光电 三极管 | ||
1. 一种有机光电三极管,其组成包括:铝蒸发膜构成的栅极,其特征是:所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜,两者之间形成肖特基壁垒,源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。
2. 根据权利要求1所述的有机光电三极管,其特征是:所述的酞菁铜可采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌。
3. 根据权利要求1或2所述的有机光电三极管,其特征是:所述的上下二层酞菁铜薄膜膜厚度分别为60-80nm,120-140nm,最好70nm,130nm,半导电薄膜铝栅极厚度为17-22nm,最好20nm。
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