[实用新型]有机光电三极管无效

专利信息
申请号: 200620022192.7 申请日: 2006-12-12
公开(公告)号: CN201107811Y 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所 代理人: 陈晓光
地址: 150080黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 有机 光电 三极管
【权利要求书】:

1. 一种有机光电三极管,其组成包括:铝蒸发膜构成的栅极,其特征是:所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜,两者之间形成肖特基壁垒,源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。

2. 根据权利要求1所述的有机光电三极管,其特征是:所述的酞菁铜可采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌。

3. 根据权利要求1或2所述的有机光电三极管,其特征是:所述的上下二层酞菁铜薄膜膜厚度分别为60-80nm,120-140nm,最好70nm,130nm,半导电薄膜铝栅极厚度为17-22nm,最好20nm。

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