[实用新型]半导体塑料发光管无效
申请号: | 200620022193.1 | 申请日: | 2006-12-12 |
公开(公告)号: | CN201100964Y | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H05B33/02 |
代理公司: | 哈尔滨东方专利事务所 | 代理人: | 陈晓光 |
地址: | 150080黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 塑料 发光 | ||
技术领域:
本实用新型涉及一种采用层叠半导体塑料材质的平板显示器的发光管。
背景技术:
现有的光电子器件及平板显示器领域中,电致发光器件大多由无机半导体材料制成,无机半导体材料的发光效率高,但做成大面积的显示器,工艺上还有困难。
发明内容:
本实用新型的目的是提供一种可制成大面积平板显示器的采用层叠半导体塑料材质的发光管。
半导体塑料发光管,其组成包括:发光管,所述的发光管的作用层中包括塑料半导体酞菁铜和喹啉铝蒸发膜。
上述的半导体塑料发光管,所述的作用层结构为金、酞菁铜、铝、酞菁铜、喹啉铝、ITO透明电极、玻璃基板。
上述的目的通过以下的技术方案实现:
这个技术方案有以下有益效果:
1.塑料电致发光器件与无机半导体材料的电致发光器件相比,其制备工艺形式多样,材料成本低,可以制成多色和全色显示器件,容易制成大面积显示器件,具有无机材料不可比拟的特性,特别是本实用新型采用的塑料发光器件,其驱动电压低,可与集成电路相匹配。
2.本实用新型的塑料电致发光器件与无机半导体材料的电致发光器件相比,柔性好,可以加工成不同形状乃至可以卷曲的显示器件,打破显示器件现有的形状,在信息技术、信息显示技术领域将具有广泛的应用前景。
3.采用本实用新型的塑料发光二极管的显示器,构造简单,自发光不需要背景光源,对比度高、厚度薄、视角广、响应速度快、使用温度范围广、制造成本低、低功耗。而传统的可移动电子产品,如无线移动电话、笔记本电脑等的显示部件都采用液晶显示器件,这种显示器件是采用非结晶或者多晶硅做成的薄膜三极管作为驱动元件,其工艺复杂、成本高昂。本实用新型从根本上克服了液晶显示器的诸多缺点,如亮度、视角、背光源引起的体积和耗电量大、制作工艺复杂、大面积成本昂贵等等,具有本实用新型作用层的显示器被认为是取代液晶显示器的下一代显示器件。
4。目前使用的塑料半导体制作的场效应三极管,由于半导体的导电率低,载流子迁移率小,导致其动作特性如开关速度低、驱动电压高而难于实用化。本实用新型的纵形结构的半导体铝薄膜栅电极塑料半导体酞菁铜薄膜三极管,由于覆盖在呈群山状态的酞菁铜薄膜表面的半导电铝薄膜的表面为微尖型电极形态,使得肖特基内建电场山尖部最强,产生微尖电极效应,半导体电铝薄膜一侧产生的镜像电荷层,使漏极区域的酞菁铜和铝的界面的实效肖特基势垒高度降低,由源极发射的载流子,隧穿酞菁铜/铝/酞菁铜双肖特基势垒栅极区域,形成VOTFT的工作电流,而是其动作特性具有高速、大功率的特性,本实用新型就是将此技术与OLED技术复合而成的有源驱动发光管器件,由半导体电铝薄膜的VOTFT的工作电流驱动并控制,OLED的发光强度,实现其发光强度的精细控制,具有只使用塑料半导体材料和金属电极,采用真空蒸发法即可制成有源驱动塑料半导体发光器件的优点。
5.本实用新型的产品是将半导体铝栅极埋在空穴传送层酞菁铜薄膜的中间,这种包含肖特基栅极和异质结二极管的多势垒纵形结构,类似于无机半导体闸流管的构造,驱动速度快,电流密度大。
6.附图4显示了本实用新型的动态特性测试结果,输入频率为1000Hz的交流矩形波信号,测定其交流响应电流IDS获得,由测定结果知输出响应电流IDS幅值与其静态特性VDS=3V是数据一致,由动态特性测定结果得到的开关特性参数,ToN=0.26ms,TOFF=0.21ms,显示了其高速动作特性,与其相比,使用CuPc塑料半导体制作的本产品,其截止频率小于100Hz,驱动电压为30-100V,虽然对三极管的开关速度有很大影响的酞菁铜蒸发膜的载流子迁移率是10-6cm2/Vs,但是采用纵型VOTFT结构的塑料膜三极管,与横向结构的OFET相比,由于导电沟道大幅缩短,使其驱动电压和开关速度等动作特性获得很大改善。
7.由OSET的基本电器测试结构可知,本实用新型研制的OSET具有如下特点,1.栅极驱动电压低,容易和无机集成电路相匹配;2.高速动作,开关时间为亚毫秒级,能满足高速图像刷新要求;3.是有源驱动的发光器件;4.本产品采用层叠结构,制作方便,有利于集成化。
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