[实用新型]片上系统芯片供电装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源技术，特别涉及一组具有时序关系的电源供电装置。

背景技术

随着技术的进步，当前各种信息设备如IPTV机顶盒、手机、VOIP(可视电话)等都要用到功能强大的SoC(片上系统)芯片，如philips公司的PNX8550、AMD公司的AU1200、ADI公司的AD561等

一般而言，这些SoC芯片的供电电源分为几种，包括内核电源、DDR接口电源、其他I/O接口电源。一般来说，内核电源电压较低，如philips公司的PNX8550芯片为1.25V，DDR接口电源一般为2.5V(适用于DDR1)或1.8V(适用于DDR2)，其他I/O接口电源一般为3.3V或5V。而且SoC芯片对这几种电源的上电顺序有一定要求，通常首先要求内核电源上电，其次DDR接口电源上电，最后是其他电源上电。现有技术中，能够满足上述要求的供电装置，一般结构都比较复杂，成本偏高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题，就是针对现有技术的SoC芯片供电装置结构复杂，成本高的缺点，提供一种具有时序供电功能的片上系统芯片供电装置，以满足系统供电要求。

本实用新型解决所述技术问题，采用的技术方案是，片上系统芯片供电装置，包括主电源，第一顺序电源，第二顺序电源，延时单元，控制单元，开关单元及第一直流变换器和第二直流变换器；所述主电源通过第一直流变换器与第一顺序电源连接；所述第一顺序电源与延时单元连接，所述延时单元与控制单元连接，所述控制单元与开关单元连接；所述主电源通过开关单元与第二直流变换器连接，所述第二直流变换器与第二顺序电源连接。

本实用新型的有益效果是，各组成单元技术成熟，结构简单，元器件成本低。

附图说明

图1是本实用新型的结构框图；

图2是实施例的示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例，详细描述本实用新型的技术方案。

本实用新型的技术方案是，片上系统芯片供电装置，包括主电源，第一顺序电源，第二顺序电源，延时单元，控制单元，开关单元及第一直流变换器和第二直流变换器；所述主电源通过第一直流变换器与第一顺序电源连接；所述第一顺序电源与延时单元连接，所述延时单元与控制单元连接，所述控制单元与开关单元连接；所述主电源通过开关单元与第二直流变换器连接，所述第二直流变换器与第二顺序电源连接；

进一步的是，所述主电源的输出电压，高于所述第一顺序电源的输出电压和第二顺序电源的输出电压，所述第二顺序电源的输出电压高于所述第一顺序电源的输出电压；

具体的是，所述主电源为开关稳压电源；

或者所述主电源为充电电池。

如图1所示，本实用新型的片上系统芯片供电装置，由主电源提供电能供给，其输出电压V1，一部份通过第一直流变换器，产生第一顺序电源；另一部分通过开关单元输入第二直流变换器，产生第二顺序电源。第一顺序电源的输出电压V2，一部份为片上系统芯片提供内核电源；另一部分通过延时单元延时，经过控制单元驱动开关单元导通或关断，通过控制第二直流变换器的输入电压，达到控制第二顺序电源延时输出的目的。第二顺序电源的输出电压V3，用于片上系统芯片DDR接口的供电。

上述供电装置的主电源，一般是整机系统的工作电源，可由开关电源提供，或采用充电电池提供。为了简化直流变换器的结构，一般应使主电源的输出电压V1，高于第一顺序电源的输出电压V2和第二顺序电源的输出电压V3。根据片上系统芯片的供电要求，一般V3高于V2，并且其时序关系为V3滞后于V2。

实施例

参见图2。图中电阻R1、电容C1组成延时单元；电阻R2、R3、三级管T1、电阻R4、R5、组成控制单元；T2为MOS开关管，构成本例的开关单元。主电源的输出电压V1，通过第一直流变换器输出电压V2，经过电阻R1对电容C1充电，使A点电压逐渐升高，充电结束后A点对地电压约为V2。当A点电压上升到一定值后，经过电阻R2、R3分压，使三极管T1饱和导通，三级管T1的集电极电压下降到约0V。三极管T1集电极电压的下降，引起MOS开关管T2的栅极电压下降，当该电压下降到MOS开关管T2的导通阈值后，MOS开关管T2导通，电压V1输入第二直流变换器，产生第二顺序电源，经过电容C2滤波，输出电压V3。图中电阻R4、R5组成MOS开关管T2的偏置电路。图中的直流变换器可以选用集成电路，也可以采用分离器件构成稳压电路。

上述实施例仅为举例性的，而非限制性的，对于本领域的技术人员，根据本实用新型的原理，结合本领域的常规技术，而对其进行的效果等同的修改，都应包含于本实用新型的保护范围中。