[实用新型]高密度硬盘磁头

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于磁记录介质的记录/读取的磁头，尤其涉及一种新型高密度硬盘磁头。

背景技术

众所周知，磁头是由读头和写头构成。一般情况下读头是自旋阀门式巨磁致电阻效应多层膜(GMR)或自旋阀门式隧道巨磁致电阻效应(TMR)多层膜。通常，读头夹在两软磁屏蔽膜之间，GMR和TMR多层膜结构大致相同，按功能分，通常由基底层，反铁磁层(AFM)，固定层，反铁磁交换层，参照层，分隔层，自由层，保护层，其中每一层也可以是多层膜组成。各层材料根据需求而选定。比如基底层材料可以是Ta，NiFeCr，NiFe，Ru，Ta/Ru，NiFeCr/CoFe，等；反铁磁层可以是IrMn，PtMn，NiMn等；固定层，参照层和自由层一般是软磁性材料，如CoFe，NiFe，CoFeNi，CoFeB，CoBeNb，等等；反铁磁交换层一般有Ru，Ir，Cr等；保护层可以是Ta，Ru，TaN，等。通常，GMR的分隔层是导电材料如Cu，而TMR的分隔层一般是绝缘材料如Al2O3，MgO，TiO；或者金属/绝缘材料/金属，如Mg/MgO/Mg。还有所谓的电流限制式垂直平面GMR(CCP)使用的分隔层是导电材料和绝缘材料的混合物。GMR或TMR的电阻会因为自由层与参照层的磁矩之间的夹角大小而变化。通常，固定层和参照层磁矩因反铁磁层的耦合作用在工作磁场下不会转动或转动很小。主要是自由层的磁矩会随着从磁盘上发出来的磁场而变化，从而引起GMR或TMR的电阻的变化。为了获得平滑的反应特性，通常自由层两端都有永久磁铁对自由层施加磁场，使自由层的静态磁矩处于与参照层的磁矩成90度夹角，同时使自由层的磁矩在外磁场下能平稳地转动。电流平行式GMR在使用时，电流从多层膜平面平行流过，永久磁性与多层膜之间是导电的。而电流垂直式GMR和TMR在使用时，电流垂直于多层膜平面穿过，永久磁性与多层膜之间是绝缘的，永久磁性可以是如，CoCrPt，CoPt，CoCr等。一般永久磁铁需要一层或多层基底膜如Ta，Ru，Ti，W，等以便其性能良好。但是随着密度的提高，读头的两软磁屏蔽膜之间的间隔会越来越小。因而要求多层膜的总厚度越来越小。由于层数众多，减小厚度的难度越来越大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于为克服现有技术的不足而提供一种性能稳定，生产工艺简单的新型高密度硬盘磁头。其具体技术方案为：新型高密度硬盘磁头由基片，绝缘层，自由层，分隔层，永磁体层，读头保护层，第一辅助磁芯层，第二辅助磁芯层，主写磁芯层等组成，基片上镀有绝缘层，绝缘层上镀有读头基底层和永磁体基底层，读头基底层上镀有自由层，自由层上镀有分隔层，分隔层上又镀有一自由层，每层自由层也可以由多层构成，自由层上镀有读头保护层，永磁体基底层上镀有永磁体层，永磁体层的磁场方向使两自由层的磁矩处于平行状态，永磁体层和读头保护层上镀有绝缘层，绝缘层上镀有第二辅助磁芯层，第二辅助磁芯层上镀有绝缘层，绝缘层上镀有主写磁芯层，主写磁芯层上镀有反铁磁层，反铁磁层上镀有铁磁层，铁磁层上镀有第一辅助磁芯层。

为加强磁屏蔽效果，可在永磁体基底层，读头基底层和绝缘层之间镀一层软磁屏蔽膜，在读头保护层，永磁体层与绝缘层之间镀一层软磁屏蔽膜。

对非平面GMR或TMR，在永磁体基底层下与读头多层膜之间镀有一层绝缘层。

主写磁芯与第一辅助磁芯之间镀有反铁磁层/铁磁层/反铁磁层或镀有铁磁层/反铁磁层/铁磁层或镀有非磁性层/铁磁层/反铁磁层。

可在主写磁芯层，第一辅助磁芯与铁磁层或反铁磁层之间增设一层或多层非磁性层。