[实用新型]一种低熔点金属与背板的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜加工工艺领域，特别涉及一种用于磁控溅射镀膜的低熔点金属与背板的结构。

背景技术

磁控溅射镀膜是通过离子碰撞而获得薄膜的一种工艺。其原理如图1所示，主要利用辉光放电将氩气(Ar)离子撞击阴极(靶材)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。同时用强力磁铁将电子呈螺旋状运动，加速靶材周围的氩气离子化，使得氩气离子对阴极靶材的撞击机率增加，形成雪崩式的状态，以提高溅射速率。磁控溅射薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜好。

为了确保溅镀质量，溅射时对背板及阴极(靶材)有较高的要求。由于溅射时氩离子撞击靶材的另一部分动能转化为热能，须用冷却水对背板及靶材进行及时冷却，这就要求背板及阴极之间有很好的结合。如果背板及阴极之间结合不好，就会造成阴极冷却不够而过热熔化脱落。因此工业上，尤其大规模连续生产要求背板及阴极(靶材)之间有良好的结合。

低熔点金属/背板靶广泛应用于玻璃镀膜行业和半导体行业，其中低熔点金属为低熔点镀膜材料(如锡，铟，锌和铅等)，背板为背板层材料(如铜，不锈钢等)。目前国内生产这类靶材的结构如图2所示，加工工艺为：准备低熔点金属坯料和背板材料；将低熔点金属坯料熔化；清理背板杂质；将低熔点金属熔液浇注在背板上；去熔液杂质并冷却；机加工成型。

但是“低熔点金属/背板”靶在实际使用过程中，经常出现二层分离现象，并导致分离区低熔点金属层由于冷却不够而过热熔化脱落。

发明内容

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的不足之处而提供的一种增加低熔点金属层与背板层间的接触面积，提高生产效率的低熔点金属与背板的结构。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现：一种低熔点金属与背板的结构，其特征在于，该结构包括低熔点金属坯料和背板，所述的低熔点金属坯料和背板呈上下叠放连接，所述的背板与低熔点金属坯料接触的一面设有规则或不规则的槽或沟。

所述的槽或沟的横截面包括不规则烂板形、多组方形、多组V形、多组圆弧形、方形或V形或圆弧形组合。

所述的背板与低熔点金属坯料接触的一面设有喷砂处理层。

所述的背板与低熔点金属坯料接触的一面设有表面化学侵蚀层。

与现有技术相比，本实用新型的特点是：1由于增加了低熔点金属层与背板层间的接触面积，从而增加了两层的粘接强度；2增加了低熔点金属层的冷却面积，提高了低熔点金属层冷却效果，相应地提高了靶材使用的安全性；3由于靶材的粘接强度和冷却效果的提高，可以相应提高溅射功率，从而提高生产效率。

附图说明

图1为磁控溅射原理图；

图2为现有低熔点金属/背板靶材平面图；

图3为图2的A-A剖视图；

图4为图2的B-B剖视图；

图5为现有低熔点金属/背板靶材平面图；

图6为图5的C-C剖视图；

图7为本实用新型低熔点金属/背板靶材结构图；

图8为本实用新型另一种低熔点金属/背板靶材结构图；

图9为图7的F-F剖视图；

图10为本实用新型低熔点金属/背板靶材的一种槽或沟的横截面形状以及背板材料处理层的结构示意图；

图11为本实用新型低熔点金属/背板靶材的另一种槽或沟的横截面形状以及背板材料处理层的结构示意图；

图12为本实用新型低熔点金属/背板靶材的另一种槽或沟的横截面形状以及背板材料处理层的结构示意图；

图13为本实用新型低熔点金属/背板靶材的另一种槽或沟的横截面形状以及背板材料处理层的结构示意图；

图13为本实用新型低熔点金属/背板靶材的另一种槽或沟的横截面形状以及背板材料处理层的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，对本实用新型作进一步说明。

实施例

磁控溅射镀膜是通过离子碰撞而获得薄膜的一种工艺。其原理如图1所示，A：冷却流体出口，B：磁控系统，C：冷却系统，D：冷却流体入口，E：背板，F：阴极，G：阳极，H：真空泵，I：真空室，主要利用辉光放电将氩气(Ar)离子撞击阴极(靶材)F表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。同时用强力磁铁将电子呈螺旋状运动，加速靶材周围的氩气离子化，使得氩气离子对阴极靶材的撞击机率增加，形成雪崩式的状态，以提高溅射速率。磁控溅射薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜好。