[实用新型]一种高出光效率的LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高出光效率的LED芯片，具体涉及对LED芯片在封装过程中外表真空加镀增透膜，用于提高LED芯片的出光效率。

技术背景

半导体照明产业在全球已经兴起。在国家中长期科技规划战略研讨会议上，已将“新世纪照明工程”推荐为重大项目，发展半导体照明工程已经到了新时期。现在功率型白光LED的光效已提高到25～30lmPW，而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场，其光效需要达到150lmPW。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED的量子效率，同时还要求在LED的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界(环氧树脂)的界面反射，因此导致LED芯片光的损失。本实用新型是在芯片上镀一层增透膜，使LED芯片出光效率提高了10％。

实用新型内容

为克服上述缺点，本实用新型提出了一种高出光效率的LED芯片，目的在于减少光线自LED芯片发出时的反射，提高LED芯片的出光效率。其基本原理是：LED芯片材料折射率高，在可见光折射率达到3.6。如果芯片发出的光直接出射，则由于界面反射，损失的光能有： R = ( 3.6 - 1 3.6 + 1 ) 2 = 31.9 % ; ]]>

已有技术的LED结构是在LED芯片外面用环氧树脂封装，但该做法依然会让20％的光能损失，计算结果如下：

界面一：环氧树脂、LED芯片：

环氧树脂的折射率在可见光是1.56。因此，该界面的反射是： R = ( 3.6 - 1.56 3.6 + 1.56 ) 2 = 15.6 % ; ]]>

界面二：环氧树脂、空气：

R = ( 1.56 - 1 1.56 + 1 ) 2 = 4.78 % ; ]]>