[实用新型]具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种TFT阵列基板，特别是涉及一种具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板。

背景技术

液晶显示器(LCD)是利用夹在液晶分子上电场强度的变化，改变液晶分子的取向控制透光的强弱来显示图像。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须有背光模块、偏光片、TFT(薄膜晶体管)下基板和CF(彩色滤光板)上基板以及由两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。TFT基板上有大量的像素电极，像素电极上的电压大小及通断由与横向扫描信号线相连接的栅极、与纵向驱动信号线连接的源极信号控制。CF上基板上的ITO公共电极与下基板上的ITO像素电极之间的电场强度变化调制着液晶分子的取向。TFT基板上与扫描信号线平行并处于同一层的存储电容公共线和ITO像素电极之间形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。

在TFT基板的制造过程中，工艺上的任何稍微偏差都可能对显示面板造成缺陷，或者是导线的断路、短路、或者是像素电极上的污染，影响液晶显示的画面质量，图1所示即为存储电容公共线、扫描信号线与驱动信号线交叉区域41和42发生短路示意图，因此，液晶面板出厂前都会考虑对缺陷进行修复，以降低生产成本。

大多数TFT基板缺陷均能通过激光切割和激光焊接相结合的方法得到有效修复，但是目前已公开的关于对扫描信号线或存储电容公共线与驱动信号线交叉点处的短路能够高效修复的方法还不是很多，一般常用的方法是利用激光将短路部分切断，然后用Laser CVD法沿原线生长修复线。图2所示为交叉点处发生短路后的传统修复方案示意图，横向扫描信号线14与纵向驱动信号线26在交叉位置出现短路缺陷50，利用激光在扫描信号线14两侧位置将驱动信号线26切断，在断开点112的附近位置将保护绝缘层利用激光打孔113，再利用Laser CVD法沿原线生长修复线111，这种情况下在极其有限的空间内很难保证生长修复线111的同时不会引起别的短路，而且，这种结构在成盒后修复也无能为力。

图3是US5852482专利中提出的对扫描信号线和驱动信号线交叉点处发生短路时进行修复的平面结构示意图，其存储电容为共栅极结构，栅极扫描线14和15与存储电容公共线16相连，直接沉积在玻璃基体上，下面的栅极扫描线14呈直线，而上面的栅极扫描线15向下凹进，12为栅极，信号线26与扫描线14垂直，两层之间有绝缘层SiNx隔开；源极22和与像素电极30连接的漏极24对称重叠沉积在栅极12两侧，分别对应为图示X2和X1标记位置，非晶Si和n+非晶Si层处于栅极和源、漏极之间；像素电极ITO层沉积在最上层，与源、漏极层之间由保护层绝缘。当栅极扫描线14与驱动信号线26在D处短路时，可从驱动信号线26两侧Z1和Z2位置处用激光断开，又不影响扫描信号的传输；若在E位置交叉处出现短路，则利用激光从Y1和Y2处断开，这时栅扫描信号尽管能从栅扫描线14通过到下一个像素电极，但是该薄膜晶体管由于缺少了栅极信号无法给其对应的像素电极施加信号，从而造成了显示缺陷，另外重复的线路布局占据了较大的像素区域面积，又影响了液晶显示面板的开口率。

尽管在影响液晶显示面板的画面质量当中，交叉点位置的短路只是其缺陷的一个方面，但到目前对其修复采用的方法，或者工序繁杂，修复效率和质量都有待提高，或者线路设计复杂，影响开口率，无法满足生产要求。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种无需在扫描信号线、存储电容公共线沉积中准备修复线、在其交叉点发生短路时，仅用激光切割就能简单修复的TFT阵列基板。

本实用新型是这样实现的：具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板包括薄膜晶体管，多条与栅电极连接的横向扫描信号线，多条与源电极连接、与扫描信号线垂直、绝缘交叉的驱动信号线，多条与像素电极形成存储电容、与扫描信号线平行并处于同一层的横向储存电容公共线，其中在交叉区域的扫描信号线、驱动信号线或存储电容公共线具有分线结构，分线间隙填充有绝缘材料。

所述分线结构可以设置成条状或是圆弧状。

所述的绝缘材料可以为SiO₂或SiNx。