[实用新型]半导体硅片的清洗装置无效
| 申请号： | 200620049445.X | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN200997395Y | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种半导体硅片的清洗装置，包括清洗水槽和承载硅片的托架，其特征在于：该装置还包括一个机械悬臂，该机械悬臂上设有至少一个超声波振荡发生器，其中，该机械悬臂可以伸入清洗水槽内运动，设在机械臂上的超生波振荡发生器在运动过程中提供超生波能量。
2、如权利要求1所述的半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述机械悬臂的运动范围限于硅片的上方及左右两侧且不会接触到清洗水槽的侧壁。
3、如权利要求1所述的半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述的超声波振荡发生器是柱状超声波振荡发生器。
4、如权利要求1所述的半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述的超声波振荡发生器是点状超声波振荡发生器。
5、如权利要求1所述的半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述超声波振荡发生器所使用的频率为250千赫兹至2兆赫兹。
6、如权利要求1所述的半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述超声波振荡发生器在硅片表面产生的单位面积上的功率为0.5-5瓦特/平方厘米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
