[实用新型]压阻式微波功率传感器

权利要求书

1.一种压阻式微波功率传感器，其特征在于该传感器以Si衬底(1)为衬底，Si3N4/SiO2层(9)设在Si衬底(1)的底部，在Si衬底(1)上设有SiO2绝缘层(2)，SiO2绝缘层(2)与腐蚀Si衬底(1)上的硅膜(11)构成双层膜(8)结构，在双层膜(8)结构上设有共面波导(3)，在共面波导(3)的终端设有匹配电阻(4)，在双层膜(8)结构的边缘设有四个沿<110>方向的压敏电阻(6)，压敏电阻(6)通过接触金属(10)由金属导线(5)构成惠斯登电桥，惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块(7)相接。

2.根据权利要求1所述的压阻式微波功率传感器，其特征在于终端匹配电阻(4)放置在双层膜(8)的中心位置以产生最大的应力变化。

3.根据权利要求1所述的压阻式微波功率传感器，其特征在于压敏电阻(6)沿<110>方向放置，并且位于双层膜(8)边缘的中心处，从而使得电阻阻值的变化量达到最大。