[实用新型]固态脉冲调制开关

权利要求书

1、固态脉冲调制开关，包括两个以上可控硅SCR1～SCRn、静态及动态均压电路、同步触发电路，其特征在于：

两个以上的可控硅SCR1～SCRn串联，

每一个可控硅并联有静态均压电路和动态均压电路，静态均压电路由电阻R1构成，动态均压电路由电阻R2、快恢复二极管D和电容C构成，电阻R2、快恢复二极管D并联后与电容C串联，静态均压电路和动态均压电路保证串联的每个可控硅上所担负的电压均衡，

同步触发电路由触发变压器的次级绕组、电阻R3和电容C2构成，每个次级绕组经由电阻R3和电容C2并联电路与每个可控硅的栅极和阴极对应相接，同步触发电路保证串联的所有可控硅同时受触发导通。

2、如权利要求1所述的固态脉冲调制开关，其特征在于：还包括故障失效检测电路，其中，可控硅电压取样信号来自对串联可控硅最后一个可控硅上的电压取样，经电阻R4、电容C4去尖峰后经射随器N1C输出后，分成两路，一路经电阻R5、R6分压后送到由N1A构成的比较器的正端，作为检测前几个串联可控硅是否失效的信号，当前几个可控硅有失效时，最后一个可控硅上的电压必然升高，该信号就会增大，当其高于负端的基准信号时，N1A的输出端就会输出高电平，经二极管V7、与非门D1A、非门D2B、二极管V8构成的故障记忆电路记忆并输出前几个可控硅失效故障信号；另一路直接送到N1D构成的比较器的负端，作为检测最后一个可控硅是否失效的基准信号，当最后一个可控硅失效时，由于取不到可控硅上的电压样，该基准信号为零，而此时N1D的正端只要调制器加有电压就会有大于零的信号，N1D的输出为高电平，经二极管V9、与非门D1D、非门D2A、二极管V10构成的故障记忆电路记忆并输出最后一个可控硅失效故障信号，

浮动电压取样信号来自对调制器PFN充电电压的取样，经电阻R10、电容C6去尖峰后射随输出，分成两路，一路经电阻R11、R12分压后由N1A构成的比较器的负端，作为检测前几个可控硅是否失效的浮动基准电平；另一路直接送到比较器N1D的正端，作为检测最后一个可控硅是否失效的检测信号，一旦最后一个可控硅失效，N1D的负端的基准信号将接近0电平，而正端则较高，N1D的输出为高电平，报出最后一个可控硅失效故障。

3、如权利要求1或2所述的固态脉冲调制开关，其特征在于：串联的可控硅与散热器间隔排列，以金属散热器作为相邻可控硅之间的导电体。

4、如权利要求1或2或3所述的固态脉冲调制开关，其特征在于：可控硅与散热器封装在一个长方体内形成风道以便散热。