[实用新型]一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置

权利要求书

1.一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其具有LED芯片阵列板、荧光板和透明树脂板，该LED芯片阵列板具有多个LED芯片和连接该多个LED芯片的导线，第一个LED芯片的正极连接到第一导线，该第一导线连接到第二个芯片的负极，第二个LED芯片的正极连接到第二导线，该第二导线连接到第三个LED芯片的负极，以此类推，最后一个LED芯片的正极连接到电源的正极，第一个LED芯片的负极连接到电源的负极，或者第一个LED芯片的负极连接到第三导线，该第三导线连接到第二个LED芯片的正极，第二个LED芯片的负极连接到第四导线，该第四导线连接到第三个LED芯片的正极，以此类推，最后一个LED芯片的负极连接到电源的负极，第一个LED芯片的正极连接到电源的正极，最终构成为一个M行×N列阵列板，其中M和N都为2个以上的任意数值，其特征是：芯片阵列板上覆盖有一层荧光板，该荧光板与所有LED芯片紧密接触，在荧光板上是一透明树脂板，将LED芯片以及荧光板密封。

2.根据权利要求1所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其特征是：电源为恒流源。

3.根据权利要求2所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其特征是：电源为高压恒流源。

4.根据权利要求1所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其特征是：荧光板的材料为荧光粉，其通过丝网印刷术、化学气相沉积、等离子增强沉积、真空溅射、等离子溅射或磁控溅射形成。

5.根据权利要求1所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其特征是：荧光板的大小正好覆盖所有LED芯片。

6.根据权利要求1所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其特征是：荧光板的厚度为10纳米至100微米。

7.根据权利要求1所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置其特征是：荧光板的厚度使LED芯片所发的光穿透荧光板。

8.根据权利要求1所述的一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，其特征是：荧光板为多层，依次位于LED芯片之上，每层荧光板所含荧光粉的种类相同或不相同，每层荧光板的厚度相同或不相同。

9.一种高亮度、高功率、低发热LED发光装置，具有多个LED芯片阵列板、和封装树脂，其中每个LED芯片阵列板内部都具有多个LED芯片和连接该多个LED芯片的导线，对于每个LED芯片阵列板，该LED阵列板内的的第一个LED芯片的正极连接到该LED阵列板内的第一导线，该LED阵列板内的第一导线连接到该LED阵列板内的第二个芯片的负极，该LED阵列板内的第二个LED芯片的正极连接到该LED阵列板内的第二导线，该LED阵列板内的第二导线连接到该LED阵列板内的第三个LED芯片的负极，以此类推，构成了每一个LED芯片阵列板，或者该LED阵列板内的第一个LED芯片的负极连接到该LED阵列板内的第三导线，该LED阵列板内的第三导线连接到该LED阵列板内的第二个LED芯片的正极，该LED阵列板内的第二个LED芯片的负极连接到该LED阵列板内的第四导线，该LED阵列板内的第四导线连接到该LED阵列板内的第三个LED芯片的正极，以此类推，构成了每一个LED芯片阵列板，使每一个LED芯片阵列板最终构成为一个M行×N列阵列板，其中M和N都为2个以上的任意数值，在每一个芯片阵列板上覆盖有一层荧光板，该荧光板与所有LED芯片紧密接触，在荧光板上是一透明树脂板，将LED芯片以及荧光板密封，其特征是：每个LED芯片阵列板都不单独连接到电源，第一个LED芯片阵列板的正极连接到第五导线，该第五导线连接到第二个芯片阵列板的负极，第二个LED芯片阵列板的正极连接到第六导线，该第六导线连接到第三个LED芯片阵列板的负极，以此类推，最后一个LED芯片阵列板的正极连接到电源的正极，第一个LED芯片阵列板的负极连接到电源的负极，或者第一个LED芯片阵列板的负极连接到第七导线，该第七导线连接到第二个LED芯片阵列板的正极，第二个LED芯片阵列板的负极连接到第八导线，该第八导线连接到第三个LED芯片阵列板的正极，以此类推，最后一个LED芯片阵列板的负极连接到电源的负极，第一个LED芯片阵列板的正极连接到电源的正极，最终构成为一个M行×N列阵列板，其中M和N都为2个以上的任意数值，在所有的LED芯片阵列板之上有一封装树脂。