[实用新型]改进的半导体机台

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种改进的半导体机台，可用于晶圆沉积等半导体制造工艺中，尤其涉及一种具有挡板结构以防止残留钯材颗粒污染晶圆与提高清洁效率的半导体机台。

背景技术

一般而言，半导体制程(制造工艺)如沉积等制程中常产生残留钯材颗粒，而附着残留于半导体机台内的残留钯材颗粒易造成后片晶圆制程被污染。如图1所示为已知的半导体机台10，其中包括制程室11、晶圆载盘12、承载装置13以及钯材14。其中晶圆载盘12设置于制程室11内，且连接于承载装置13上，而钯材14也设置于制程室11内。当进行沉积制程时，钯材14所产生的钯材颗粒喷射路径141显示钯材颗粒(未见于图式)可能掉入制程室11的下方，以致前片制程残留的钯材颗粒可能污染后片。此外，钯材颗粒也可能附着于载盘12下方与承载装置13上，清洁时必须拆卸移承载装置13，使得操作过程十分不便以及半导体机台10维护效率无法提升。

因此，提供具有防止残留钯材颗粒污染后片晶圆制程与提高清洁效率功能的半导体机台，便成为半导体制程的关键课题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有防止残留钯材颗粒污染晶圆与提高清洁效率的改进的半导体机台。

为达上述目的，本实用新型提供一种改进的半导体机台，其中包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置，其特征是，

所述的挡板，设置于该制程室内，该挡板具有一抵接部；

所述的晶圆载盘，设置于该制程室内，该晶圆载盘具有一盘缘，该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构；以及

所述的承载装置，设置于该制程室内，该承载装置具有一顶端，该顶端连接于该晶圆载盘。

其中，在制程室内，该抵接部与该盘缘为相互抵接，该挡板与该晶圆载盘抵接之内隔离出一第一封闭空间，该挡板与该晶圆载盘抵接之外为制程室的一第二封闭空间。该第一封闭空间将制程用的钯材位置包括之内，制程产生的钯材颗粒被阻隔于第一封闭空间内。该晶圆载盘具有一制程定位与一移载定位结构，该晶圆载盘位于该制程定位时该盘缘抵接于该抵接部。该半导体机台还包括一钯材，对应钯材的材质不同，该制程定位与该靶材之间距为一可调整结构。

通过上述技术特征，本实用新型的有益效果表现为：

本实用新型是利用挡板将残留钯材颗粒加以吸附与阻隔，使半导体机台具有防止残留钯材颗粒污染晶圆制程的功能而提高清洁效率。并且，清理此半导体机台时仅需更换或清洁挡板，无须拆卸承载装置，操作过程十分简易。

附图说明

图1为已知的半导体机台示意图；

图2A为本实用新型改进的半导体机台示意图；

图2B为本实用新型半导体机台改进结构的作动示意图。

图中符号说明

10：已知的半导体机台；    11：制程室；

12：晶圆载盘；            13：承载装置；

14：钯材；                141：钯材颗粒喷射路径；

20：半导体机台；          21：制程室；

22：晶圆载盘；            221：盘缘；

23：承载装置；            231：顶端；

24：挡板；                241：抵接部；

25：钯材；                26：第一封闭空间；

27：第二封闭空间

具体实施方式

以下具体的实施例，将对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。

参照图2A，图2A分别为根据本实用新型所提供的一种半导体机台20的改进结构的示意图，其中包括一制程室21、一晶圆载盘22、一承载装置23、以及一挡板24。其中挡板24设置于制程室21内，且其具有抵接部241。晶圆载盘22亦设置于制程室21内，其具有盘缘221，可与挡板24的抵接部241作选择性抵接。承载装置23具有顶端231，而此顶端231连接于晶圆载盘22，例如连接于晶圆载盘22的下方。

此外，挡板24的材质可采用一具有粗操表面的不锈钢材质，而此粗操表面可经由铝电浆喷覆处理(Al Spray)达到粗操表面，加强钯材颗粒附着的效果。