[实用新型]特高压并联电抗器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种并联电抗器，具体涉及一种高电压等级的并联电抗器，尤其适用于特高压并联电抗器。

背景技术

随着电力工业的迅速发展，对输变电系统电压的要求越来越高，我国超高压甚至特高压输电网的建设不断发展。为了保障电网的安全、稳定、优质运行，需要在交流输电线路上安装并联电抗器，对输电线路进行补偿。

特高压并联电抗器电压高、容量大，若采用常规大容量电抗器的单柱式结构，产品体积一般较大，不易满足运输要求，难以保证其安全性及可靠性。目前，特高压并联电抗器在我国尚未问世。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种特高压并联电抗器，其解决了背景技术中运输困难、安全可靠性难以保证等技术问题。

本实用新型的技术解决方案是：

一种特高压并联电抗器，包括铁轭10，该铁轭10由上、下铁轭2、8及两个旁轭1组成，其特殊之处在于：

所述的铁轭10内设置有I芯柱5及II芯柱9。

所述的I芯柱5上套装有I绕组7，所述的II芯柱9上套装有II绕组11。

所述I绕组7的I绕组上半相14和I绕组下半相16并联后从中部引出构成电抗器首端A，所述II绕组11的II绕组上半相15和II绕组下半相17并联后从中部引出构成电抗器末端X。

所述I绕组7的I绕组上半相14与II绕组11的II绕组上半相15相串接，所述I绕组7的I绕组下半相16与II绕组11的II绕组下半相17相串接。该串接形式可使绕组具有良好的抗冲击电压作用特性，同时可降低产品运输高度。

上述I绕组7与II绕组11的上、下端以分别设置磁分路3为佳。磁分路3可有效控制漏磁分布，防止大容量电抗器的局部过热现象，提高安全可靠性。

上述I绕组7的上、下端及II绕组11的上、下端分别设置有静电板4。

上述静电板4可采用一整块板，但以由二个或二个以上的单元静电板12沿幅向排列构成为佳，各单元静电板12之间设置有支撑块13。

上述I绕组7的上、下端沿以及II绕组11的上、下端沿以分别设置角环6为宜。

上述I绕组7、II绕组11的线圈以采用全纠结饼式结构或纠结连续饼式结构为佳。

上述电抗器首端A的出线以采用均压管屏蔽为佳，其屏蔽的可靠性较好。

上述I芯柱5及II芯柱9可由带气隙垫块的铁芯大饼叠装而成。

本实用新型具有以下优点：

1.产品综合性能指标好，便于运输，可靠性高。特高压电抗器线圈采用两柱串联的结构，可降低产品运输高度，提高可靠性。

2.在绕组上、下端分别设置磁分路，可改善漏磁分布，降低由漏磁引起的线圈涡流损耗，尤其可降低线圈端部导线中的涡流损耗，有效降低杂散损耗，有效降低线圈的热点温升。

3.线圈中设有内外挡油圈，可控制线圈中的温度场分布，使线圈能够有效散热，提高电抗器长期运行的可靠性。

4.线圈的首端出线采用铝管屏蔽，可改善电极形状，均匀电场分布，提高产品的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型单元静电板的结构示意图。

图3是本实用新型I绕组与II绕组相串接的结构示意图。

附图标号说明：1-旁轭，2-上铁轭，3-磁分路，4-静电板，5-I芯柱，6-角环，7-I绕组，8-下铁轭，9-芯柱9，10-铁轭，11-II绕组，12-单元静电板，13-支撑块，14-I绕组上半相，15-II绕组上半相，16-I绕组下半相，17-II绕组下半相，A-电抗器首端，X-电抗器末端。

具体实施方式

参见图1，本实用新型的铁轭10由上、下铁轭2、8及两个旁轭1构成，铁轭10内设置有I芯柱5及II芯柱9，该结构磁路对称，安全可靠，且成本低。I芯柱5及II芯柱9由带气隙垫块的铁芯大饼叠装而成，以利于散热。

I芯柱5上套装有I绕组7，II芯柱9上套装有II绕组11，I绕组7、II绕组的线圈以采用纠结饼式或纠结连续饼式结构为佳。

参见图3，I绕组7的I绕组上半相14与II绕组11的II绕组上半相15相串接，I绕组7的I绕组下半相16与II绕组11的II绕组下半相17相串接。该串接形式可使绕组具有良好的抗冲击电压作用特性，同时可降低产品运输高度。I绕组7的I绕组上半相14和I绕组下半相16并联后从中部引出构成电抗器首端A，II绕组11的II绕组上半相15和II绕组下半相17并联后从中部引出构成电抗器末端X。