[实用新型]太阳能电池薄膜无效
申请号: | 200620139361.5 | 申请日: | 2006-12-08 |
公开(公告)号: | CN200990381Y | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 曹正尚 | 申请(专利权)人: | 曹正尚 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/06 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王燕秋 |
地址: | 台湾省台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 薄膜 | ||
技术领域
本实用新型与太阳能电池有关,特别是指一种用于太阳能电池内的薄膜,该太阳能电池薄膜中的各层镀膜,其厚度很薄且具有较高的均匀性,因此能提供较好的电池效能。
背景技术
由于目前人类的各项活动对于能源的需求是不可或缺且与日俱增的,因此如何提供一种能够长久且安全使用的能源便成为目前最迫切的议题,在各种替代性能源的研究当中,以太阳能电池的研发最受到瞩目。
早期曾有以卷带式技术来改善太阳能电池的制造,主要是利用具有一系列制程室的卷带式机器,其中,各制程室分别用以形成各不同的层体,其基材则由一滚动条以类似线性的输送带送入,并通过各制程室,经过各真空制程室内挥发所需要的物质来形成各种层体,该金属薄层被多次连续地从空气转移到真空再回到空气。然而近年来有许多研究指出此方法所使用的硫化铜吸收层并不安定,且以此技术所制造的层体虽然成本较低,但效果不好。
此外,也有研究以一种电浆化学气相沉积(CVD)技术为主的卷带式镀覆,该太阳能电池吸收层是以来自硅烷玻璃分解的无定形硅沉积所制成,但这种无定形硅太阳能电池的转换效率始终低于其它的薄膜电池。
综上所述,习用太阳能电池内的薄膜,其各层的镀膜多是以气相沉积法所制成,因此容易造成镀膜的厚度不易控制而产生过厚的膜,或是当需要蒸镀的面积较大时,也会由于气相沉积法的诸多限制而导致镀膜的均匀性不好,进而影响太阳能电池的效能。
发明内容
针对上述问题,本实用新型的主要目的在于提供一种太阳能电池薄膜,其具有厚度薄且均匀性好等优点,可增进太阳能电池的效能。
为达到上述目的,本实用新型所提供的一种太阳能电池薄膜,包含有:一基材;一第一导电层,以真空磁控溅射于所述基材的一表面;一主吸收层,以真空磁控溅射于所述第一导电层的一表面;一缓冲层,以化学浴沉积法镀于所述主吸收层的一表面;一第二导电层,以真空磁控溅射于所述缓冲层的一表面;一电极层,以真空磁控溅射于所述第二导电层的一表面。
上述本实用新型,所述基材为玻璃或镀有钠化合物薄膜的不锈钢薄片。
以上所述本实用新型,所述第一导电层为钼金属所制成。
以上所述本实用新型,所述主吸收层为铜铟镓合金经真空高温硒化所制成的二硒化铜铟镓合金所制成。
以上所述本实用新型,所述缓冲层为硫化镉或氧化锌所制成。
以上所述本实用新型,所述第二导电层的材质为氧化锌所制成。
以上所述本实用新型,所述电极层为镍或铝所制成。
以上所述本实用新型,所述基材厚度为0.2~0.4毫米。
采用上述技术方案,本实用新型多层结构中的各镀膜部具有均匀性好且厚度很薄的特性,可以增进太阳能电池的效能。
附图说明
图1是本实用新型一较佳实施例的示意图。
具体实施方式
为了详细说明本实用新型的结构及特点,现举以下较佳实施例并配合附图说明如下。
如图1所示,本实用新型一较佳实施例所提供的太阳能电池薄膜10,包含有一基材11、一第一导电层12、一主吸收层14、一缓冲层16、一第二导电层18以及一电极层19。
基材11为厚度约0.2~0.4mm的玻璃或者是镀有钠化合物薄膜的不锈钢薄片。
第一导电层12是以真空磁控溅射将钼金属镀覆于基材11的一上表面110。
主吸收层14则是先以真空磁控溅射将铜铟镓合金镀覆于第一导电层12的一上表面120,再经真空高温硒化产生二硒化铜铟镓合金。
缓冲层16是以化学浴沉积法将硫化镉或氧化锌镀覆于主吸收层14的一上表面140。
第二导电层18同样以真空磁控溅射将氧化锌镀覆于缓冲层16的一上表面160。
电极层19也是以真空磁控溅射将镍或铝金属镀覆于第二导电层18的一上表面180。
通过上述以真空磁控溅射镀覆的各层镀膜所制成的太阳能电池薄膜,不仅能够有效的控制其膜厚,还具有较好的均匀性,因此能够达到增进太阳能电池效能的目的。
以上实施例仅用以说明本实用新型,凡依据本实用新型说明书、权利要求书及附图所作的种种修改或变化,均应包含在本实用新型的专利保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的