[实用新型]大幅面激光标刻太阳能电池的装置无效
申请号: | 200620144550.1 | 申请日: | 2006-12-31 |
公开(公告)号: | CN201038180Y | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 李毅;李全相 | 申请(专利权)人: | 李毅 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 | 代理人: | 张艺影;李奕晖 |
地址: | 518029广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大幅面 激光 太阳能电池 装置 | ||
1.一种大幅面激光标刻太阳能电池的装置,由电脑控制激光发生器和载物工作台,包括工作电源,冷却系统,其特征还包括电脑程序控制幅面为400mm~600mm激光振镜扫描系统;由电脑控制系统控制X-Y轴交联载物平台,在该平台上放置有待标刻的基片,所说基片的标刻区域是以X、Y轴向相邻的n×m个等份,该标刻区域范围为400mm~600mm×400mm~600mm。
2.根据权利要求1所述的大幅面激光标刻太阳能电池的装置,其特征在于所说激光振镜扫描系统装在固定架Z轴悬臂上。
3.根据权利要求1所述的大幅面激光标刻太阳能电池的装置,其特征在于所说的X-Y轴交联平台上的基片幅面为1000mm×2000mmm,振镜头标刻范围设定为500mm×500mm,其中n=4,m=2,标刻区域为8等份。
4.根据权利要求1所述的大幅面激光标刻太阳能电池的装置,其特征是所说待标刻的基片是非晶硅薄膜太阳能电池,激光振镜扫描系统幅面为400mm~600mm。
5.根据权利要求1或4所述的大幅面激光标刻太阳能电池的装置,其特征在于所说基片的标刻区域是非晶硅薄膜太阳能电池的前电极图形。
6.根据权利要求5所述的大幅面激光标刻太阳能电池的装置,其特征在于所说的非晶硅薄膜太阳能电池的前电极图形,该电极相邻图形间绝缘隔离线宽度为0.1~0.4mm,绝缘电阻大于2MΩ。
7.根据权利要求4所述的大幅面激光标刻太阳能电池的装置,其特在于所说待标刻的非晶硅薄膜太阳能电池是刻除非晶硅薄膜层,非晶硅图形和前电极图形隔离线边缘间距为0.1~0.3mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的