[实用新型]一种低噪声放大器

权利要求书

1. 一种低噪声放大器(LNA)，包括：

多个用来处理放大器接收到的信号的FET；

用于接收电能以运行该低噪声放大器的电源输入；

以及单片支持集成电路(IC)；

其特征在于所述的单片支持集成电路(IC)包括：

FET控制电路：用于监视和控制每个FET的漏极电流，

FET选择电路：用于检测提供给电源输入的电压信号中的直流分量电平，并根据所检测到的直流分量电平把相应的FET选择信号提供给FET控制电路，FET控制电路响应FET选择信号使选中的两个FET中的一个失效；

连接到电源输入端并能从电源输入的电压信号中产生整形的输出电压的电压调整电路；

以及负电压发生器电路，连接到稳压电路输出的整形电压，从该整形电压中产生负电压，并把该负电压提供给FET控制电路，从而让FET控制电路能向FET提供驱动栅极的负电压。

2. 根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于所述的电源输入是一个信号的输出，该低噪声放大器用于把所述信号输出放大，并输出给与信号输出端所连接的设备。

3. 根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于所述的FET为GaAs FET。

4. 根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于还包括能调整所述FET的漏极电流的部件。

5. 根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于所述的FET控制电路用来控制每个FET的漏极电流、漏极电压、栅极电流、栅极电压。

6. 根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于所述的电压调整电路为所述单片支持集成电路之外的LNA器件提供工作所需的电源。

7. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于其还包括有两个本地振荡器，并且所述的单片支持集成电路还包括：

交流信号检测电路，它检测电源输入的电压信号中的交流分量，且根据检测到的交流分量产生一交流分量检测信号；

一个本地振荡控制电路(LO)，它接收交流分量检测信号，并根据接收到的交流分量检测信号选择两个本地振荡器之一并使之振荡。

8. 根据权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于所述的本地振荡控制电路(LO)的选择决定了该低噪声放大器的工作频带。

9. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于所述的FET控制电路用来在故障状态下限制每一个FET管的漏极电流。

10. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于所述的各个FET有各自的额定电压，FET控制电路用来为FET提供栅极驱动电压，并调控每个栅极的驱动电压在每个FET各自的额定值内。

11. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于所述的FET控制电路根据FET选择电路的信号在二个FET间选择一个并使之失效，两个FET中第一个FET用来处理接收到的第一极化信号，第二个FET用来处理接收到的第二极化信号，FET选择电路通过选择让第一个或第二个FET失效，来实现控制LNA放大哪一种极化的接收信号。

12. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于FET控制电路通过施加一个栅极电压来完全切断FET的漏极电流，以使选中的FET失效。

13.根据权利要求12所述的低噪声放大器，其特征在于所述的FET控制电路也可用于禁用被选中的FET的漏极电压。

14. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于FET控制电路可通过取消被选中的FET的漏极电压来使该FET失效，并通过施加一个栅极电压使该FET转换成低阻抗状态。

15. 根据权利要求1至6中任一权利要求所述的低噪声放大器，其特征在于所述的FET选择电路还包括有能排除提供给电源输入的电压信号中除直流分量以外的干扰信号的部件。