[实用新型]电荷耦合元件封装结构无效
申请号: | 200620148902.0 | 申请日: | 2006-10-26 |
公开(公告)号: | CN200993965Y | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 林资智 | 申请(专利权)人: | 华晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L23/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 武玉琴;王月玲 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 耦合 元件 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电荷耦合元件封装结构,特别是指一种具有光学补偿功能的电荷耦合元件封装结构。
背景技术
电荷耦合元件(Charge Coupled Device),以下简称CCD,是一种半导体成像元件。
请参阅图1,是传统电荷耦合元件封装结构示意图。传统CCD封装结构包括一感光层1a及一玻璃盖片2a,该玻璃盖片2a为一平面体,设置在该感光层1a的一表面。
请参阅图2,是传统CCD封装结构配合一光学系统的使用状态图。当被摄物体的图像经过一光学系统3a(如镜头)聚焦至CCD封装结构的感光层1a时,由于光线穿过由许多球面或非球面镜片所组成的光学系统3a时,会产生衍射作用及像差,影像的反差会较原来影像小。
请续参阅图3,是传统CCD封装结构配合一光学系统所成像的结果示意图。通过调制传递函数(Modulation Transfer Function),以下简称MTF,对所述的光学系统3a所产生的反差及分辨率作简易图标及说明。MTF的数值愈接近1,影像的画质便愈高。
然而,光学系统的MTF的数值都是在1以下,且传统CCD封装结构的玻璃盖片2a为一平面体,如图2所示,所以光线经过所述的光学系统及传统CCD封装结构的玻璃盖片2a后,其成像结果在四周外的影像有较不清楚的问题,进一步说,MTF的数值低于或等于0.6。
因此,本设计人根据多年丰富的实务经历,乃特潜心研究并配合学理的运用,终于提出一种设计合理及有效解决公知问题的本实用新型。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种电荷耦合元件封装结构,具有一球弧状玻璃盖片,用以提高影像清晰度。
为了达成上述的目的,本实用新型提供一种电荷耦合元件封装结构,包括:一感光层;及一玻璃盖片,系设置在该感光层的一表面上;其中该玻璃盖片具有一球弧表面,形成于该玻璃盖片的一表面,作为光学补偿,用来提高光学影像清晰度。
所述的电荷耦合元件封装结构,其中该玻璃盖片更好是一凹透镜。
所述的电荷耦合元件封装结构,其中该球弧表面的曲度更好是根据一光学系统的焦距而定。
在较佳实施例中,所述的电荷耦合元件封装结构,更好是进一步包括一滤光层,设置于该玻璃盖片与该感光层之间。
综上所述,本实用新型提供一种电荷耦合元件封装结构,其感光层上设有一球弧状玻璃盖片,用以作为光学系统的成像补偿,提高光学MTF值,借此,解决了传统电荷耦合元件封装结构上,使用平面玻璃盖片所导致成像结果在四周外的影像有较不清楚的问题。
为了能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,然而所附附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以规范。
附图说明
图1是传统电荷耦合元件封装结构示意图。
图2是传统电荷耦合元件封装结构配合一光学系统的使用状态图。
图3是传统电荷耦合元件封装结构配合一光学系统所成像的结果示意图。
图4是本实用新型的电荷耦合元件封装结构示意图。
图5是本实用新型的电荷耦合元件封装结构配合一光学系统的使用状态图。
图6是本实用新型的电荷耦合元件封装结构配合一光学系统所成像的结果示意图。
主要元件附图标记说明:
现有技术:
感光层 1a
玻璃盖片 2a
光学系统 3a
本实用新型:
感光层 1
MOS电容器 11
滤光层 2
球弧状玻璃盖片 3
球弧表面 31
光学系统 4
具体实施方式
请参阅图4,是本实用新型的电荷耦合元件封装结构示意图。本实用新型的电荷耦合元件封装结构,包括一感光层1、一滤光层2及一球弧状玻璃盖片3。
该感光层1是由上百万个排列紧密的金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)电容器所组成的,以下简称MOS电容器11。
该滤光层2设置于该玻璃盖片3与该感光层1之间,为了帮助所述的电荷耦合元件封装结构能够组合成彩色影像,该滤光层2具有规则排列的色彩矩阵,一般称之为网格,这些网格以红(R)、绿(G)和蓝(B)滤镜片所组成,亦有以青(C)、洋红(M)、黄(Y)和黑(K)滤镜片所组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的