[实用新型]瞬态交叉相位调制型全光半加器无效
申请号: | 200620157575.5 | 申请日: | 2006-11-24 |
公开(公告)号: | CN201017151Y | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 张新亮;董建绩;徐竞;黄德修 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G02F1/39 | 分类号: | G02F1/39;G02F1/35;H01S5/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 瞬态 交叉 相位 调制 型全光半加器 | ||
1.一种瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:第一超短脉冲光源(1)经第一调制器(2)调制输出归零码,作为一路数据信号,第二超短脉冲光源(3)经第二调制器(4)调制输出归零码,作为另一路数据信号,两路数据信号经第一耦合器(5)耦合后,再和激光器(6)输出的连续光经第二耦合器(7)耦合注入半导体光放大器(8)中,第三耦合器(9)将半导体光放大器(8)的输出功率分成两路,一路由第一光纤放大器(10)放大,再通过第一光带通滤波器(11)进行光学滤波,滤波输出获得光逻辑“与”运算,第一光接收机(12)用来探测“与”运算的光信号,另一路由第二光纤放大器(13)放大,再通过第二光带通滤波器(14)进行光学滤波,滤波输出获得光逻辑“异或”运算,第二光接收机(15)用来探测“异或”运算的光信号。
2.根据权利要求1所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在第一调制器(2)与第一耦合器(5)之间接有第一偏振控制器(16),在第二调制器(4)与第一耦合器(5)之间接有第二偏振控制器(17),在激光器(6)与第二耦合器(7)之间接有第三偏振控制器(18)。
3.根据权利要求1或2所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在第二耦合器(7)与半导体光放大器(8)之间接有第一光隔离器(19),或在半导体光放大器(8)与第三耦合器(9)之间接有第二光隔离器(20)。
4.根据权利要求1或2所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在第二耦合器(7)与半导体光放大器(8)之间接有第一光隔离器(19),在半导体光放大器(8)与第三耦合器(9)之间接有第二光隔离器(20)。
5.根据权利要求1或2所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:
上述半导体光放大器(8)由光环形器(21)和单端耦合半导体光放大器(22)构成,在单端耦合半导体光放大器(22)后端面镀反射膜,经第二耦合器(7)输出的光信号,由光环形器(21)的第一端口(C)输入,从第二端口(D)输出进入单端耦合半导体光放大器(22),光信号到达单端耦合半导体光放大器(22)后端面时,部分光将被反射,反射的光信号再次在单端耦合半导体光放大器(22)中获得增益和调制,由第二端口(D)进入光环形器(21),从光环形器(21)的第三端口(E)输出。
6.根据权利要求4所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:
上述半导体光放大器(8)由光环形器(21)和单端耦合半导体光放大器(22)构成,在单端耦合半导体光放大器(22)后端面镀反射膜,经第二耦合器(7)输出的光信号,由光环形器(21)的第一端口(C)输入,从第二端口(D)输出进入单端耦合半导体光放大器(22),光信号到达单端耦合半导体光放大器(22)后端面时,部分光将被反射,反射的光信号再次在单端耦合半导体光放大器(22)中获得增益和调制,由第二端口(D)进入光环形器(21),从光环形器(21)的第三端口(E)输出。
7.根据权利要求1或2所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在激光器(6)与第二耦合器(7)之间接有第三调制器(23)。
8.根据权利要求4所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在激光器(6)与第二耦合器(7)之间接有第三调制器(23)。
9.根据权利要求6所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在激光器(6)与第二耦合器(7)之间接有第三调制器(23)。
10.根据权利要求6所述的瞬态交叉相位调制型全光半加器,其特征在于:在激光器(6)与第三偏振控制器(18)之间接有第三调制器(23)。
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