[实用新型]低压降高取光LED电极无效
| 申请号： | 200620158556.4 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN200983371Y | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;徐晨;朱彦旭;刘莹;韩金茹;邹德恕 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 降高取光 led 电极 | ||
【权利要求书】：
1、低压降高取光LED电极，其结构至少包括：半导体基底(1)、欧姆接触层(2)、透明电流扩展层(3)、压焊电极(4)；欧姆接触层(2)与半导体基底(1)接触，覆盖在半导体基底(1)的上面；透明电流扩展层(3)覆盖在欧姆接触层(2)上面，压焊电极(4)位于透明电流扩展层(3)的上方；其特征在于：欧姆接触层(2)为一种带有的通孔(5)的导电膜(6)；透明电流扩展层(3)通过欧姆接触层(2)的通孔(5)与半导体基底(1)接触。
2、根据权利1所述的低压降高取光LED电极，其特征为：透明电流扩展层(3)的厚度为整个LED器件发出光的四分之一波长光学厚度到四分之三波长光学厚度。
3、根据权利要求1所述的低压降高取光LED电极，其特征为：透明电流扩展层(3)的厚度为整个LED器件发出光的四分之三波长光学厚度。
4、根据权利要求2或3所述的低压降高取光LED电极，其特征为：通孔(5)的总面积小于欧姆接触层(2)面积的50％。
5、根据权利1所述的低压降高取光LED电极，其特征为：透明电流扩展层(3)的折射率小于半导体基底(1)的折射率。
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