[实用新型]一种复合型的场效应晶体管结构

权利要求书

1.一种场效应晶体管结构，其特征在于，它包含：横向双扩散金属氧化物场效应管(LDMOS)和结型场效应管(JFET)。

2.如权利要求1所述的一种场效应晶体管结构，其特征在于，所述的LDMOS和所述的JFET均有各自的源区和栅区，并且所述的LDMOS和所述的JFET共用相同的漏区。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述LDMOS和所述JFET均是增强型N型场效应晶体管。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述NLDMOS包括：P型基底(101)；N型外延(102)；位于所述N型外延(102)内的P阱(110)作为所述NLDMOS的衬底，所述NLDMOS衬底上的P+扩散层(108)形成连接电极作为所述NLDMOS的衬底连接端(438)。

5.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述N型外延(102)内的N+扩散层(112)形成的漏区，其中所述N型外延(102)的所述N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏极(437)。

6.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述NLDMOS的衬底内的N+扩散层(109)作为所述NLDMOS的源区，并通过所述N+扩散层(109)形成连接电极作为所述NLDMOS的源极(436)。

7.如权利要求3所述的结构，其特征在于，横跨所述NLDMOS的源区和漏区之间的P阱(110)，并与所述NLDMOS的源区和漏区均相交的栅极多晶硅(130)作为所述NLDMOS的栅极(435)。

8.如权利要求3所述的结构，其特征在于，P型基底(101)和N型外延(102)内的P阱(110)作为所述NJFET的栅区，其中P阱(110)内的P+扩散层(108)和P型上隔离层(105)内的P+扩散层(106)形成连接电极作为所述NJFET的栅极(433)。

9.如权利要求3所述的结构，其特征在于，将相对于所述NLDMOS栅区，且靠近源极侧的N型外延(102)上的N+扩散层(107)形成连接电极作为所述NJFET的源极(434)。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，所述NJFET源极(434)的N+扩散层(107)位于所述NLDMOS的衬底和P型上隔离层(105)之间。

11.如权利要求3所述的结构，其特征在于，在所述NLDMOS栅极(435)附近，且靠近漏极电极的一侧，还可以在P型基底(101)和N型外延(102)之间有一P型下隔离层(103)。

12.如权利要求3所述的结构，其特征在于，在所述NLDMOS和所述NJFET的漏极端还可以有一N阱层(111)。

13.如权利要求3所述的结构，其特征在于，在所述NLDMOS漏区的N+扩散层(112)和NLDMOS的P阱衬底之间，还可以增加一种P型扩散(539)，所述的P型扩散(539)可以是一段。

14.如权利要求3所述的结构，其特征在于，在所述NLDMOS漏区的N+扩散层(112)和NLDMOS的P阱衬底之间，还可以增加一种P型扩散(539)，所述的P型扩散(539)可以是K段(K＞1)。

15.如权利要求3所述的结构，其特征在于，还可以在所述P阱(110)和所述N+扩散层(109)之间有一N-扩散层(640)，且所述的N-扩散层(640)包含用作所述NLDMOS源区的所述N+扩散层(109)。

16.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述复合型场效应晶体管可以呈现完全中心对称的圆形结构。

17.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述复合型场效应晶体管可以呈现部分中心对称的圆形结构。

18.如权利要求17所述的结构，其特征在于，所述复合型场效应晶体管呈现部分中心对称的圆形结构时，所述NLDMOS呈现完全中心对称，所述NJFET呈现部分中心对称。

19.如权利要求1所述的结构，其特征在于，在整个所述LDMOS和所述JFET的周围使用P型上隔离层(105)和P型下隔离层(104)形成对通隔离，并通过所述的对通隔离将所述LDMOS和JFET与所述结构所在的芯片上其他元件隔开。