[实用新型]CMOS基准电压源无效
| 申请号： | 200620170898.8 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN200997086Y | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;夏晓娟;徐申;李海松;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 基准 电压 | ||
1、一种CMOS基准电压源，其特征在于：包括启动电路(1)，主偏置电流产生电路(2)，基准电压产生电路(3)；启动电路(1)，主偏置电流产生电路(2)，基准电压产生电路(3)的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电流产生电路(2)的输入端连接启动电路(1)的输出端，主偏置电流产生电路(2)的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路(3)的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路(3)的基准电压输出端输出基准电压。
2、根据权利要求1所述的CMOS基准电压源，其特征在于：所述的启动电路(1)由至少两个PMOS管P1、PMOS管P2和电容C0组成，PMOS管P1和PMOS管P2的源极作为启动电路(1)的直流电输入端，PMOS管P1的漏极分别与PMOS管P2的栅极及电容C0正端相连，PMOS管P2的漏极作为启动电路(1)的输出端，PMOS管P1的栅极及电容C0的另一端接公共地端。
3、根据权利要求1所述的CMOS基准电压源，其特征在于：所述的主偏置电流产生电路(2)由8个MOS管和一个电阻组成；PMOS管M1和PMOS管M2的源极相连并作为主偏置电流产生电路(2)的直流电输入端，PMOS管M1的漏极与PMOS管M3的源极相连，PMOS管M2的漏极与PMOS管M4的源极相连，PMOS管M1和PMOS管M2的栅极共接于PMOS管M2的漏极和PMOS管M4的源极，且作为主偏置电流产生电路(2)的第一输出端；PMOS管M3和PMOS管M4的栅极共接于PMOS管M4和NMOS管M6的漏极，且作为主偏置电流产生电路(2)的第二输出端；PMOS管M3的漏极与NMOS管M5漏极、NMOS管M5、NMOS管M6的栅极共接；NMOS管M5的源极与NMOS管M7的栅极相连并作为主偏置电流产生电路(2)的输入端，NMOS管M7的漏极和NMOS管M8的栅极相连，NMOS管M7的栅极和漏极之间设置一电阻R1，NMOS管M6的源极与NMOS管M8的漏极相连；NMOS管M7和NMOS管M8的源极接公共地端。
4、根据权利要求1所述的CMOS基准电压源，其特征在于：所述的基准电压产生电路(3)由3个MOS管组成，PMOS管M9的源极作为基准电压产生电路(3)的直流电输入端，PMOS管M9和PMOS管M10的栅极分别作为基准电压产生电路(3)的第一输入端和第二输入端，PMOS管M9的漏极与PMOS管M10的源极相连，PMOS管M10的漏极连接NMOS管M11的漏极，NMOS管M11的栅极与NMOS管M11的漏极共接，并作为基准电压产生电路(3)的基准电压输出端，输出基准电压，NMOS管M11的源极接公共地端。
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