[实用新型]一种发光二极管的封装结构无效

专利信息
申请号: 200620175518.X 申请日: 2006-12-31
公开(公告)号: CN201017896Y 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 蔡勇 申请(专利权)人: 杭州亿奥光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 杭州中平专利事务所有限公司 代理人: 翟中平
地址: 311100浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的封装结构,包括铝基板(1),其特征在于:所述的铝基板(1)采用阳极氧化处理工艺处理且在其面形成一层绝缘氧化层(2),LED的硅晶片(4)直接封装在绝缘氧化层(2)上,绝缘氧化层(2)上采用银浆烧结工艺设有导电层(5),硅晶片(4)通过金丝电极(6)与导电层(5)相连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:硅晶片(4)通过胶粘层(8)与绝缘氧化层(2)固定连接。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:硅晶片(4)上设有环氧树脂层(7)。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征是:铝基板(1)为平板或带有散热器(3)的板。

5.根据权利要求4所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述的散热器(3)由一组或2组或多组散热片组成。

6.一种由多个发光二极管的封装结构构成的发光光源,包括铝基板(1),其特征在于:所述的铝基板(1)采用阳极氧化处理工艺处理且在其面形成一层绝缘氧化层(2),多个LED的硅晶片(4)直接封装在绝缘氧化层(2)上,与多个LED的硅晶片(4)匹配的导电层(5)采用银浆烧结工艺形成在绝缘氧化层(2)上且多个LED的硅晶片(4)分别通过金丝电极(6)与导电层(5)连接构成LED发光源。

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