[发明专利]垂直氮化镓半导体器件和外延衬底有效
| 申请号： | 200680000348.4 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1969388A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 桥本信;木山诚;田边达也;三浦广平;樱田隆 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/47;H01L21/205;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 氮化 半导体器件 外延 衬底 | ||
【权利要求书】：
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