[发明专利]等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于：

其是在腔室内通过对以硅为主要成分的被处理体作用等离子体，而使硅氧化并形成氧化硅膜的等离子体处理方法，其中，

所述等离子体利用脉冲状的电磁波而形成，

控制脉冲条件，使得由所述脉冲状的电磁波引起的等离子体的紫外区域内的发光强度，与由连续电磁波引起的等离子体的紫外区域内的发光强度相比为其50％以下，而且，

由所述脉冲状的电磁波的等离子体引起的氧化速率，与由连续电磁波的等离子体引起的氧化速率相比为其55％以上。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

使用含有稀有气体和氧气与氢气的气体作为处理气体。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

紫外区域内的发光是由OH自由基引起的发光。

4.如权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述脉冲的频率为1～100kHz，占空比为50～90％。

5.一种等离子体处理方法，其特征在于：

其是在腔室内通过对以硅为主要成分的被处理体作用等离子体，而使硅氧化并形成氧化硅膜的等离子体处理方法，其中，

所述等离子体利用脉冲状的电磁波而形成，

控制脉冲条件，使得由所述脉冲状的电磁波引起的等离子体的紫外区域内的发光强度，与由连续电磁波引起的等离子体的紫外区域内的发光强度相比为其90％以下，而且，

由所述脉冲状的电磁波的等离子体引起的氧化速率，与由连续电磁波的等离子体引起的氧化速率相比为其80％以上。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

使用含有稀有气体与氧气的气体作为处理气体。

7.如权利要求1、2、5、6中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述脉冲的频率为1～100kHz，占空比为50～90％。

8.一种等离子体处理方法，其特征在于：

其是在腔室内对被处理体作用等离子体来进行处理的等离子体处理方法，其中，

通过将脉冲状的电磁波导入所述腔室内而产生等离子体，并且通过脉冲条件控制所述腔室内的等离子体的发光强度。

9.如权利要求8所述的等离子体处理方法，其特征在于：

测定所述腔室内的等离子体的发光强度，并根据该值变更脉冲条件，由此来控制发光强度。

10.如权利要求8或者9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体的发光是紫外区域内的发光。

11.如权利要求1、4、8中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括具有多个窄缝的平面天线，通过该平面天线将微波导入所述腔室内。

12.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

通过脉冲状的电磁波产生等离子体的等离子体供给源；

在被处理体上通过所述等离子体进行成膜处理用的腔室；

在所述腔室内放置所述被处理体的支撑体；

用来对所述腔室内进行减压的排气机构；

用来将气体供给到所述腔室内的气体供给机构；

测定所述腔室内的等离子体的发光的分光控制计；以及

控制部，该控制部以通过变更脉冲条件、控制所述等离子体的发光强度来进行等离子体处理方法的方式进行控制。