[发明专利]选择性等离子体处理方法

权利要求书

1.一种选择性等离子体处理方法，其特征在于：

在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，相对于所述氮化硅层，选择性地对所述硅进行氧化处理，形成硅氧化膜，

在所述氮化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于通过氧化处理形成的所述硅氧化膜的膜厚的比率为20％以下，

处理压力为400Pa～1333Pa。

2.如权利要求1所述的选择性等离子体处理方法，其特征在于：

所述含氧等离子体为利用具有多个缝隙的平面天线向所述处理室内导入微波而形成的微波激发高密度等离子体。

3.一种选择性等离子体处理方法，其为对硅基板进行氧化处理的选择性等离子体处理方法，其特征在于：

在所述硅基板的表面，依次叠层有栅绝缘膜、多晶硅层和氮化硅膜，进一步，沿着叠层的所述栅绝缘膜、所述多晶硅层和所述氮化硅膜的侧面形成有绝缘层的侧壁，所述硅基板的表面的一部分露出，

在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对所述硅基板进行作用，由此，对所述硅基板的露出的面的硅进行氧化处理，使得在所述氮化硅膜上形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于在所述硅基板的露出的面上形成的硅氧化膜的膜厚的比率为20％以下，

处理压力为400Pa～1333Pa。

4.一种选择性等离子体处理方法，其特征在于：

在等离子体处理装置的处理室内，使含氮等离子体对在表面上具有硅和氧化硅层的被处理体进行作用，相对于所述氧化硅层，选择性地对所述硅进行氮化处理，形成硅氮化膜，

在所述氧化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于通过氮化处理形成的所述硅氮化膜的膜厚的比率为25％以下，

处理压力为400Pa～1333Pa。

5.如权利要求4所述的选择性等离子体处理方法，其特征在于：

所述含氮等离子体为利用具有多个缝隙的平面天线向所述处理室内导入微波而形成的微波激发高密度等离子体。

6.一种选择性等离子体处理方法，其特征在于：

在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对形成有硅氧化膜、在硅氧化膜上形成有硅氮化膜、使硅氮化膜图案化、以硅氮化膜作为掩模对硅氧化膜和硅基板进行蚀刻而形成有槽的硅基板进行作用，由此，对所述硅基板的露出的面的硅进行氧化处理，使得在所述硅氮化膜上形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于在所述槽内在所述硅基板露出的面上形成的硅氧化膜的膜厚的比率为20％以下，

处理压力为400Pa～1333Pa。

7.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理室，该处理室具备载置被处理体的载置台、并能够真空排气；和

控制部，该控制部进行控制，使得进行如下的选择性等离子体处理方法：在所述处理室内，使含氧等离子体对具有硅露出面和氮化硅露出面的被处理体进行作用，由此，对所述硅露出面的硅进行氧化处理，使得在所述氮化硅露出面上形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于在所述硅露出面上形成的硅氧化膜的膜厚的比率为20％以下，

处理压力为400Pa～1333Pa。

8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理室，该处理室具备载置被处理体的载置台、并能够真空排气；和

控制部，该控制部进行控制，使得进行如下的选择性等离子体处理方法：在所述处理室内，使含氮等离子体对具有硅露出面和氧化硅露出面的被处理体进行作用，由此，对所述硅露出面的硅进行氮化处理，使得在所述氧化硅露出面上形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于在所述硅露出面上形成的硅氮化膜的膜厚的比率为25％以下，

处理压力为400Pa～1333Pa。