[发明专利]钽氮化物膜的形成方法

权利要求书

1.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在真空室内，导入含有在钽原子的周围配位N＝(R，R′)的配合物的原料气体以及卤素气体，在基板上形成含有TaN_x(Hal)_y(R，R′)_z化合物的一个原子层或数个原子层的表面吸附膜，然后导入由含H原子的气体生成的自由基，将与上述生成化合物中的Ta键合的N切断除去，并且，将残留着的与N键合的R、R′基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜，其中Hal表示卤素原子，R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团。

2.权利要求1记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在导入前述原料气体以及卤素气体时，在真空室内，首先导入原料气体，使其在基板上吸附后，导入卤素气体，使与吸附的原料气体反应，形成含有TaN_x(Hal)_y(R，R′)_z化合物的一个原子层或数个原子层的表面吸附膜。

3.权利要求1记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在导入前述原料气体以及卤素气体时，在真空室内同时导入二者，使其在基板上反应，形成含有TaN_x(Hal)_y(R，R′)_z化合物的一个原子层或数个原子层的表面吸附膜。

4.权利要求1～3的任一项记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述原料气体是从五(二甲基氨基)钽、叔-戊基亚氨基三(二甲基酰胺)钽、五(二乙基氨基)钽、叔-丁基亚氨基三(二甲基酰胺)钽、叔-丁基亚氨基三(乙基甲基酰胺)钽中选出的至少一种配合物的气体。

5.权利要求1～3的任一项记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，上述卤素气体为选自氟、氯、溴、碘的至少一种气体。

6.权利要求1～3的任一项记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述含有H原子的气体是选自H₂、NH₃、SiH₄的至少一种气体。

7.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，通过权利要求1～6的任一项记载的形成方法形成钽氮化物膜后，在得到的钽氮化物膜中，通过使用以钽作为主构成成分的靶的溅射，使钽粒子入射。

8.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，通过交替重复数次权利要求2记载的吸附工序和反应工序后，通过使用以钽作为主构成成分的靶的溅射，使钽粒子入射到得到的钽氮化物膜中。

9.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，交替重复数次权利要求2记载的吸附工序以及反应工序，以及通过使用以钽作为主构成成分的靶的溅射使钽粒子入射到得到的钽氮化物膜中的工序。

10.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在实施权利要求2记载的吸附工序和反应工序期间，通过使用以钽作为主构成成分的靶的溅射，实施使钽粒子入射的工序。