[发明专利]包含新的含硅化合物的液晶组合物及使用该液晶组合物的液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种新的含硅化合物及包含该化合物的液晶组合物。更具体而言，本发明涉及一种新的具有低粘度和高负介电各向异性的向列型液晶化合物、包含该化合物的液晶组合物以及使用该组合物的液晶显示器。

背景技术

一般而言，具有光学各向异性(Δn)和介电各向异性(Δε)的液晶化合物被广泛用于显示器件，例如时钟、笔记本电脑、移动电话、电视和监视器。这种液晶化合物的需求在日益增长。用于这种显示器件的液晶化合物包括向列型液晶相、层列型液晶相和胆甾醇型液晶相。在这些相中，向列型相应用最广泛。实际上，多种液晶化合物被用于组合物的构成。液晶组合物应该对于水、光、热、空气、电场等是稳定的，并且必须确保在特殊用途的条件下构成组合物的化合物的化学稳定性。为了在显示器件中使用液晶化合物，液晶化合物的物理性质应协调一致，其包括宽范围的液晶相温度、光学各向异性值(Δn)和介电各向异性(Δε)、粘度和电导率。用于显示器件的液晶化合物的性质要求取决于显示器件的特殊类型。因此，迫切需要同时满足上述性质的新液晶器件。最近，已需要具有快速反应时间的液晶显示器，以便迅速处理大量信息。

发明内容

因此，鉴于上述问题完成本发明。本发明的一个目的是提供一种新的液晶化合物，其具有低粘度和高负介电各向异性，以使显示器最优化。本发明的另一个目的是提供一种包含上述化合物的液晶组合物。本发明的又一个目的是提供一种通过使用上述组合物制造的液晶显示器。

本发明提供了一种由以下化学式1表示的新的含硅化合物、包含上述化合物的液晶组合物以及包括由上述液晶组合物制备的液晶层的液晶显示器：

[化学式1]

其中，A选自包括SiMe₂O_k1(CQ₂)_n1、SiEt₂O_k1(CQ₂)_n1、SiF₂O_k1(CQ₂)_n1、SiCl₂O_k1(CQ₂)_n1、SiMe₂(CQ₂)_n1O_k1、SiEt₂(CQ₂)_n1O_k1、SiF₂(CQ₂)_n1O_k1、SiCl₂(CQ₂)_n1O_k1、O_k1SiMe₂(CQ₂)_n1、O_k1SiEt₂(CQ₂)_n1、O_k1SiF₂(CQ₂)_n1、O_k1SiCl₂(CQ₂)_n1、(CQ₂)_n1O_k1SiMe₂、(CQ₂)_n1O_k1SiEt₂、(CQ₂)_n1O_k1SiF₂、(CQ₂)_n1O_k1SiCl₂、O_k1(CQ₂)_n1SiMe₂、O_k1(CQ₂)_n1SiEt₂、O_k1(CQ₂)_n1SiF₂、O_k1(CQ₂)_n1SiCl₂、(CQ₂)_n1SiMe₂O_k1、(CQ₂)_n1SiEt₂O_k1、(CQ₂)_n1SiF₂O_k1、(CQ₂)_n1SiCl₂O_k1、(CH₂)_n1、CH＝CH、C≡C、O、S、COO、OCO、CF₂O、OCF₂、OCOO、CH₂O、CH₂CO、OCH₂和COCH₂的组，其中k₁为0或者1，Q为H或者F，n₁为0～3的整数；