[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200680001706.3 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101099239A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 桥上裕幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉;王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1、一种半导体器件，包括：
NMOS开关元件，具有连接到输入和/或输出端子的N型漏极扩散区和连接到地线的N型源极扩散区和P型基板接触扩散区；和
NMOS保护元件，具有连接到输入和/或输出端子的N型漏极扩散区和连接到地线的栅极、N型源极扩散区和P型基板接触扩散区，
其中NMOS开关元件的N型源极扩散区和P型基板接触扩散区彼此相邻排列，且NMOS保护元件的N型源极扩散区和P型基板接触扩散区排列以在其之间具有间距。
2、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述NMOS保护元件的P型基板接触扩散区围绕其中形成有所述NMOS保护元件的保护元件形成区。
3、根据权利要求2所述的半导体器件，其中
所述NMOS保护元件具有交替排列的多个带状N型源极扩散区和多个带状N型漏极扩散区，一对N型漏极扩散区排列在交替排列的各个端部的最外位置。
4、一种半导体器件，包括：
PMOS开关元件，具有连接到输入和/或输出端子的P型漏极扩散区和连接到电源线的P型源极扩散区和N型基板接触扩散区；和
PMOS保护元件，具有连接到输入和/或输出端子的P型漏极扩散区和连接到电源线的栅极、P型源极扩散区和N型基板接触扩散区，
其中PMOS开关元件的P型源极扩散区和N型基板接触扩散区彼此相邻排列，且PMOS保护元件的P型源极扩散区和N型基板接触扩散区排列以在其之间具有间距。
5、根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述PMOS保护元件的N型基板接触扩散区围绕其中形成有PMOS保护元件的保护元件形成区。
6、根据权利要求5所述的半导体器件，其中
所述PMOS保护元件具有交替排列的多个带状P型源极扩散区和多个带状P型漏极扩散区，一对P型漏极扩散区排列在交替排列的各个端部的最外位置。
7、一种半导体器件，包括：
如权利要求1到3任一所述的NMOS开关元件和NMOS保护元件；和
如权利要求4到7任一所述的PMOS开关元件和PMOS保护元件，
其中所述NMOS开关元件和NMOS保护元件的N型漏极扩散区与PMOS开关元件和PMOS保护元件的P型漏极扩散区连接到同一输入和/或输出端子，且NMOS开关元件和PMOS开关元件形成CMOS型电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
